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1. (WO2003058690) DEPOSITION OF TUNGSTEN FOR THE FORMATION OF CONFORMAL TUNGSTEN SILICIDE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2003/058690    International Application No.:    PCT/US2002/040944
Publication Date: 17.07.2003 International Filing Date: 23.12.2002
IPC:
H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/285 (2006.01)
Applicants: APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue, Santa Clara, CA 95054 (US)
Inventors: YOON, Hyungsuk; (US).
ZHANG, Hui; (US).
YANG, Michael; (US).
LAI, Ken, Kaung; (US).
JACKSON, Robert; (US).
MAK, Alfred; (US).
XU, Ming; (US)
Agent: PATTERSON, B., Todd; Moser, Patterson & Sheridan, LLP, 3040 Post Oak Blvd., Suite 1500, Houston, TX 77056 (US)
Priority Data:
10/033,545 27.12.2001 US
Title (EN) DEPOSITION OF TUNGSTEN FOR THE FORMATION OF CONFORMAL TUNGSTEN SILICIDE
(FR) DÉPÔT DE TUNGSTÈNE POUR LA FORMATION DE SILICIURE DE TUNGSTÈNE CONFORME
Abstract: front page image
(EN)A method and apparatus of depositing a tungsten film by cyclical deposition in the formation of tungsten silicide for use in capacitor structures is provided. One embodiment of forming an electrode for a capacitor structure comprises depositing a polysilicon layer over a structure and depositing a tungsten layer over the polysilicon layer by cyclical deposition. The tungsten layer is annealed to form a tungsten silicide layer from the polysilicon layer and the tungsten layer. The tungsten silicide layer acts as one electrode in the capacitor structure. In one aspect, the tungsten silicide layer may be used to form three-dimensional capacitor structures, such as trench capacitors, crown capacitors, and other types of capacitors. In another aspect, the tungsten silicide layer may be used to form capacitor structures which comprise a hemi-spherical silicon grain layer or a rough polysilicon layer.
(FR)L'invention concerne un procédé et un dispositif pour le dépôt cyclique de film de tungstène, dans la formation de siliciure de tungstène destiné à des structures de condensateur. Selon une variante, on forme une électrode de ce type de structure en déposant une couche de polysilicium sur une structure et en déposant une couche de tungstène sur la couche de polysilicium, par dépôt cyclique. La couche de tungstène est soumise à un recuit donnant une couche de siliciure de tungstène à partir des couches de polysilicium et de tungstène. La couche de siliciure de tungstène tient lieu d'électrode dans la structure de condensateur. Selon un aspect, la couche de siliciure de tungstène peut être utilisée pour la formation de structures de condensateur tridimensionnelles, par exemple condensateurs à tranchée, condensateurs à couronne et autres types de condensateurs. Selon un autre aspect, la couche de siliciure de tungstène peut être utilisée pour la formation de structures de condensateur qui comprennent une couche à grains de silicium hémisphériques ou une couche de polysilicium brut.
Designated States: CN, JP, KR, SG.
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SI, SK, TR).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)