WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2003058267) GAIN GUIDE IMPLANT IN OXIDE VERTICAL CAVITY SURFACE EMITTING LASER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2003/058267    International Application No.:    PCT/US2002/039513
Publication Date: 17.07.2003 International Filing Date: 11.12.2002
IPC:
H01S 5/183 (2006.01), H01S 5/20 (2006.01)
Applicants: HONEYWELL INTERNATIONAL INC. [US/US]; 101 Columbia Road, P.o. Box 2245, Morristown, NJ 07960 (US)
Inventors: BIARD, James, R.; (US).
GUENTER, James, K.; (US)
Agent: ROGER, Criss, H.; Honeywell International Inc., 101 Columbia Avenue, P.O. Box 2245, Morristown, NJ 07960 (US)
Priority Data:
10/028,436 28.12.2001 US
Title (EN) GAIN GUIDE IMPLANT IN OXIDE VERTICAL CAVITY SURFACE EMITTING LASER
(FR) IMPLANT DE GUIDAGE DE GAIN EN OXYDE DANS UN LASER A CAVITE VERTICALE ET A EMISSION PAR LA SURFACE
Abstract: front page image
(EN)A vertical cavity surface emitting laser [100] with a current guide comprised of an ion (160) implant region and an oxide structure (140). The oxide structure (140) is beneficially formed first, then, a gain guide ion implant region (160) is formed in or below the oxide structure (140). The ion (160) implant region extends into an active region (22). The energy and dosage used when forming the ion (160) implant gain guide can be selected to control the lateral sheet resistance and the active region's (22) non-radiative recombination centers.
(FR)La présente invention concerne un laser à cavité verticale et à émission par la surface (100) comprenant un guide de courant comportant une région d'implantation ionique (160) et une structure d'oxyde (140). La structure d'oxyde (140) est avantageusement formée dans un premier temps, et ensuite la région d'implantation ionique (160) est formée dans ou sous la structure d'oxyde (140). La région d'implantation ionique (160) s'étend dans la région active (22). L'énergie et le dosage utilisés lors de la formation du guide de gain d'implantation ionique (160) peuvent être choisis de manière à contrôler la résistance de couche latérale et les centres de recombinaison non radiatifs de la région active (22).
Designated States: JP, KR.
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SI, SK, TR).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)