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1. (WO2003057942) METHODS FOR SILICON OXIDE AND OXYNITRIDE DEPOSITION USING SINGLE WAFER LOW PRESSURE CVD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2003/057942    International Application No.:    PCT/US2002/040867
Publication Date: 17.07.2003 International Filing Date: 19.12.2002
Chapter 2 Demand Filed:    18.07.2003    
IPC:
C23C 16/30 (2006.01), C23C 16/40 (2006.01), C23C 16/44 (2006.01), C23C 16/56 (2006.01)
Applicants: APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; P.O. Box 450A, Santa Clara, CA 95052 (US) (For All Designated States Except US).
SUBRAMONY, Janardhanan, Anand [IN/US]; (US) (For US Only).
YOKOTA, Yoshitaka [JP/US]; (US) (For US Only).
IYER, Ramaseshan, Suryanarayanan [IN/US]; (US) (For US Only).
LUO, Lee [US/US]; (US) (For US Only).
CHEN, Aihua [CN/US]; (US) (For US Only)
Inventors: SUBRAMONY, Janardhanan, Anand; (US).
YOKOTA, Yoshitaka; (US).
IYER, Ramaseshan, Suryanarayanan; (US).
LUO, Lee; (US).
CHEN, Aihua; (US)
Agent: BERNADICOU, Michael, A.; Blakely, Sokoloff, Taylor & Zafman LLP, 12400 Wilshire Boulevard, 7th floor, Los Angeles, CA 90025 (US)
Priority Data:
10/041,026 28.12.2001 US
Title (EN) METHODS FOR SILICON OXIDE AND OXYNITRIDE DEPOSITION USING SINGLE WAFER LOW PRESSURE CVD
(FR) PROCEDES DE DEPOT DE DIOXYDE DE SILICIUM ET D'OXYNITRIDE UTILISANT UN PROCEDE DCPV A FAIBLE PRESSION A UNE SEULE TRANCHE
Abstract: front page image
(EN)An oxide and an oxynitride films and their methods of fabrication are described. The oxide or the oxynitride film is grown on a substrate that is placed in a deposition chamber. A silicon source gas (or a silicon source gas with a nitridation source gas) and an oxidation source gas are decomposed in the deposition chamber using a thermal energy source. A silicon oxide (or an oxynitride) film is formed above the substrate wherein total pressure for the deposition chamber is maintained in the range of 50 Torr to 350 Torr and wherein a flow ratio for the silicon source gas (or the silicon source gas with the nitridiation source gas) and the oxidation source gas is in the range of 1:50 to 1:10000 during a deposition process.
(FR)L'invention concerne un film d'oxyde et un film d'oxynitride ainsi que leurs procédés de fabrication. Le film d'oxyde ou d'oxynitride croît sur un substrat placé dans une chambre de dépôt. Un gaz de source de silicium (ou un gaz de source de silicium avec un gaz de source de nitridation) et un gaz de source d'oxydation sont décomposés dans la chambre de dépôt à l'aide d'une source d'énergie thermique. Un film d'oxyde de silicium (ou d'oxynitride) est obtenu au-dessus du substrat, la pression totale pour la chambre de dépôt est maintenue dans une fourchette allant de 50 Torr à 350 Torr et le rapport d'écoulement du gaz de source de silicium (ou du gaz de source de silicium avec le gaz de source de nitridation) et le gaz de source d'oxydation est compris entre 1:50 et 1:10 000 pendant un procédé de dépôt.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)