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1. (WO2003056634) SEMICONDUCTOR PHOTODETECTOR AND ITS PRODUCTION METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2003/056634    International Application No.:    PCT/JP2002/013717
Publication Date: 10.07.2003 International Filing Date: 26.12.2002
Chapter 2 Demand Filed:    26.12.2002    
IPC:
H01L 31/0224 (2006.01), H01L 31/0352 (2006.01), H01L 31/105 (2006.01)
Applicants: HAMAMATSU PHOTONICS K.K. [JP/JP]; 1126-1, Ichino-cho, Hamamatsu-shi, Shizuoka 435-8558 (JP) (For All Designated States Except US).
NAKAJIMA, Kazutoshi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: NAKAJIMA, Kazutoshi; (JP)
Agent: HASEGAWA, Yoshiki; SOEI PATENT AND LAW FIRM, Okura-honkan, 6-12, Ginza 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 104-0061 (JP)
Priority Data:
2001-397959 27.12.2001 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR PHOTODETECTOR AND ITS PRODUCTION METHOD
(FR) PHOTODETECTEUR A SEMI-CONDUCTEUR ET PROCEDE DE FABRICATION
Abstract: front page image
(EN)A semiconductor photodetector (1) has three flat steps of different heights over a semi-insulating GaAs substrate (2). Over the lower step formed in the central part of the semi-insulating GaAs substrate (2), an n-type GaAs layer (3), an i-type GaAs layer (4), and a p-type GaAs layer (5) are formed in a multilayer structure. On the p-type GaAs layer (5) and the top flat step of the semi-insulating GaAs substrate (2), a p-side ohmic electrode (6) are formed. On the n-type GaAs layer (3) and the intermediate flat step of the semi-insulating GaAs substrate (2), an n-side ohmic electrode (7) is formed.
(FR)Ce photodétecteur à semi-conducteurs (1) comporte trois étages plans de différente hauteur au-dessus d'un substrat semi-isolant à l'arséniure de gallium (GaAs) (2). Une couche au GaAs du type n (3), une couche au GaAs du type i (4) et une couche au GaAs du type p (5) sont formées, selon une structure multicouche, au-dessus de l'étage inférieur formé dans la région centrale du substrat semi-isolant GaAs (2). Au-dessus de la couche au GaAs du type p (5) et de l'étage plan supérieur du substrat semi-isolant GaAs (2) est formée une électrode ohmique du côté p (6) tandis qu'une électrode ohmique du côté n (7) est formée sur la couche au GaAs du type n (3) ainsi que sur l'étage plan intermédiaire du substrat semi-isolant GaAs (2).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)