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1. (WO2003056631) VOLTAGE-CONTROLLED BIDIRECTIONAL SWITCH
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2003/056631    International Application No.:    PCT/FR2002/004581
Publication Date: 10.07.2003 International Filing Date: 27.12.2002
IPC:
H01L 27/08 (2006.01), H01L 29/74 (2006.01), H01L 29/747 (2006.01)
Applicants: STMICROELECTRONICS, S.A. [FR/FR]; 29, Boulevard Romain Rolland 92120 Montrouge (FR) (For All Designated States Except US).
SIMONNET, Jean-Michel [FR/FR]; (FR) (For US Only)
Inventors: SIMONNET, Jean-Michel; (FR)
Agent: DE BEAUMONT, Michel; Cabinet Michel de Beaumont 1, rue Champollion 38000 Grenoble (FR)
Priority Data:
01/17044 28.12.2001 FR
Title (EN) VOLTAGE-CONTROLLED BIDIRECTIONAL SWITCH
(FR) INTERRUPTEUR BIDIRECTIONNEL COMMANDÉ EN TENSION
Abstract: front page image
(EN)The invention concerns a voltage-controlled triac-type component, formed in a N-type substrate (1) comprising first and second vertical thyristors (Th1, Th2), a first electrode (A2) of the first thyristor, on the front side of the component, corresponding to a first N-type region (6) formed in a first P-type box (5), the first box corresponding to a first electrode (A2) of the second thyristor, the first box containing a second N-type region (8); and a pilot structure comprising, above an extension of a second electrode region (4) of the second thyristor, a second P-type box (11) containing third and fourth N-type regions, the third region (12) and a portion of the second box (11) being connected to a gate terminal (G), the fourth region (13) being connected to the second region (8).
(FR)L'invention concerne un composant de type triac à commande en tension, formé dans un substrat (1) de type N, comprenant un premier et un deuxième thyristor vertical (Thl, Th2), une première électrode (A2) du premier thyristor, du côté de la face avant du composant, correspondant à une première région (6) de type N formée dans un premier caisson (5) de type P, le premier caisson correspondant à une première électrode (A2) du deuxième thyristor, le premier caisson contenant une deuxième région (8) de type N ; et une structure pilote compre­nant, au−dessus d'un prolongement d'une région (4) de deuxième électrode du deuxième thyristor, un deuxième caisson (11) de type P contenant des troisième et quatrième régions de type N, la troisième région (12) et une portion du deuxième caisson (11) étant reliées à une borne de gâchette (G), la quatrième région (13) étant reliée à la deuxième région (8).
Designated States: CN, KR, US.
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SI, SK, TR).
Publication Language: French (FR)
Filing Language: French (FR)