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1. (WO2003056627) SEMICONDUCTOR APPARATUS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2003/056627    International Application No.:    PCT/US2002/040152
Publication Date: 10.07.2003 International Filing Date: 13.12.2002
Chapter 2 Demand Filed:    18.06.2003    
IPC:
H01L 29/74 (2006.01)
Applicants: MOTOROLA, INC. [US/US]; 1303 East Algonquin Road, Schaumburg, IL 60196 (US)
Inventors: IDA, Richard, T.; (US).
XU, Hongzhong; (US)
Agent: KOCH, William, E.,; Corporate Law Department, Intellectual Property Section, 3102 North 56th Street, Phoenix, AZ 85018 (US)
Priority Data:
10/027,911 21.12.2001 US
Title (EN) SEMICONDUCTOR APPARATUS
(FR) APPAREIL SEMICONDUCTEUR
Abstract: front page image
(EN)A low voltage thyristor (10, 20, 30) is disclosed that can be used to provide protection during electrostatic discharge event. The thyristor is connected between voltage reference nodes having a common potential, such as ground nodes (GND1, GND2), that are isolated from one another during normal operating conditions. During an ESD event on one of the voltage reference nodes, the low voltage thyrister (10, 20, 30) triggers, at a voltage of less than ten volts, to help discharge the ESD current through the otherwise isolated ground node.
(FR)L'invention concerne un thyristor basse tension (10, 20, 30) pouvant être utilisé pour établir une protection lors d'un événement de décharge électrostatique. Ce thyristor est connecté entre des noeuds de référence de tension présentant un potentiel commun, tels que des noeuds de terre (GND1, GND2), isolés les uns des autres dans des conditions de fonctionnement normal. Lors d'un événement de décharge électrostatique sur un des noeuds de référence de tension, le thyristor basse tension (10, 20, 30) selon l'invention se déclenche, à une tension inférieure à 10 volts, pour aider à décharger le courant de décharge électrostatique à travers le noeud de terre qui serait autrement isolé.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)