WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2003056618) PLASMA TREATMENT APPARATUS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2003/056618    International Application No.:    PCT/JP2002/013855
Publication Date: 10.07.2003 International Filing Date: 27.12.2002
Chapter 2 Demand Filed:    30.05.2003    
IPC:
H01L 21/302 (2006.01), H01L 21/3065 (2006.01), H01L 21/461 (2006.01), H05H 1/00 (2006.01), H05H 1/46 (2006.01)
Applicants: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 107-8481 (JP) (For All Designated States Except US).
OH, Hin [CN/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: OH, Hin; (JP)
Agent: YOSHITAKE, Kenji; Kyowa Patent & Law Office, Room 323, Fuji Bldg., 2-3, Marunouchi 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 100-0005 (JP)
Priority Data:
2001-398608 27.12.2001 JP
Title (EN) PLASMA TREATMENT APPARATUS
(FR) APPAREIL DE TRAITEMENT AU PLASMA
Abstract: front page image
(EN)A plasma treatment apparatus includes means for detecting a plasma reflection parameter reflecting a plasma state when treating a work to be treated by using a high frequency electric power, means for setting a plurality of control parameters for controlling the plasma state, means for storing a model formula predicting the plurality of control parameters and/or a plurality of apparatus state parameters according to the plasma reflection parameter, and means for applying the plasma reflection parameter obtained when treating the work to the model formula so as to predict control parameters and/or apparatus state parameters during treatment.
(FR)La présente invention concerne un appareil de traitement au plasma qui comprend un moyen de détection d'un paramètre de réflexion du plasma reflétant un état du plasma lors du traitement d'un élément devant être traité au moyen d'une puissance électrique haute fréquence, un moyen de réglage d'une pluralité de paramètres de commande servant à commander l'état du plasma, un moyen de stockage d'une formule de modèle prédisant la pluralité de paramètres de commande et/ou une pluralité de paramètres d'état de l'appareil en fonction du paramètre de réflexion du plasma et un moyen d'application du paramètre de réflexion du plasma obtenu lorsqu'on traite l'élément avec la formule de modèle de manière à prédire les paramètres de commande et/ou les paramètres d'état de l'appareil pendant le traitement.
Designated States: CN, US.
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)