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1. (WO2003056393) COATING MATERIAL FOR PATTERN FINENESS ENHANCEMENT AND METHOD OF FORMING FINE PATTERN WITH THE SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2003/056393    International Application No.:    PCT/JP2002/013601
Publication Date: 10.07.2003 International Filing Date: 26.12.2002
IPC:
G03F 7/40 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01)
Applicants: TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD. [JP/JP]; 150, Nakamaruko, Nakahara-ku Kawasaki-shi, Kanagawa 211-0012 (JP) (For All Designated States Except US).
SHINBORI, Hiroshi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SUGETA, Yoshiki [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: SHINBORI, Hiroshi; (JP).
SUGETA, Yoshiki; (JP)
Agent: HASEGAWA, Yoko; HASEGAWA & ASSOCIATES 403, Horiguchi Bldg., 2-3, Nihombashi Ningyocho 2-chome Chuo-ku, Tokyo 103-0013 (JP)
Priority Data:
2001-397569 27.12.2001 JP
Title (EN) COATING MATERIAL FOR PATTERN FINENESS ENHANCEMENT AND METHOD OF FORMING FINE PATTERN WITH THE SAME
(FR) MATIERE DE REVETEMENT POUR L'AMELIORATION DE LA FINESSE D'UN MODELE ET PROCEDE DE FORMATION D'UN MODELE FIN AU MOYEN DE CETTE MATIERE
Abstract: front page image
(EN)A coating material for pattern fineness enhancement which is used for forming a fine pattern by a method comprising applying it to a substrate having photoresist patterns, narrowing the distance between the photoresist patterns based on the heat shrinkage of the coating, and then substantially completely removing the coating, characterized by comprising (a) a water−soluble polymer and (b) a water−soluble crosslinking agent having at least one nitrogen atom in the structure; and a method of forming a fine pattern with the coating material. The coating material has the excellent ability to control pattern dimensions and can give a fine pattern having a satisfactory profile and satisfying requirements for a semiconductor device.
(FR)L'invention concerne une matière de revêtement destinée à l'amélioration de la finesse d'un modèle. On utilise cette matière pour former un modèle fin à l'aide d'un procédé consistant à l'appliquer sur un substrat pourvu de modèles de photorésine, à rapprocher la distance entre les modèles de photorésine par thermorétraction du revêtement, et puis à éliminer quasi-complètement le revêtement. Cette matière est caractérisée en ce qu'elle contient (a) un polymère soluble dans l'eau et (b) un agent de réticulation soluble dans l'eau doté d'au moins un atome d'azote dans la structure. Ladite invention concerne aussi un procédé de formation d'un modèle fin avec la matière de revêtement. Ladite matière de revêtement présente une excellente capacité de régulation des dimensions du modèle et peut engendrer un modèle fin possédant un profil satisfaisant et répondant aux exigences d'un dispositif semi-conducteur.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)