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1. (WO2003056060) METHOD OF TISIN DEPOSITION USING A CHEMICAL VAPOR DEPOSITION PROCESS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2003/056060    International Application No.:    PCT/US2002/040827
Publication Date: 10.07.2003 International Filing Date: 20.12.2002
IPC:
C23C 16/34 (2006.01), C23C 16/44 (2006.01), H01L 21/285 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01)
Applicants: APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, CA 95050 (US)
Inventors: CHOU, Jing-Pei; (US).
KAO, Chien-Teh; (US).
LAI, Chiukin, Steven; (US).
MOSELY, Roderick; (US).
CHANG, Mei; (US).
CHEN, Fufa; (US)
Agent: MOSER, Raymond; Moser, Patterson & Sheridan, LLP. 595 Shrewsbury Avenue Shrewsbury, NJ 07702 (US)
Priority Data:
10/026,378 21.12.2001 US
Title (EN) METHOD OF TISIN DEPOSITION USING A CHEMICAL VAPOR DEPOSITION PROCESS
(FR) PROCEDE DE DEPOT DE TISIN METTANT EN OEUVRE UN PROCEDE DE DEPOT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR
Abstract: front page image
(EN)A method of forming a titanium silicide nitride (TiSiN) layer is described. A titanium nitride (TiN) layer is deposited on a substrate, the process chamber is purged to remove reaction by-products therefrom and than the titanium nitride (TiN) layer is exposed to a silicon-containing gas to form the titanium silicide nitride (TiSiN) layer. Alternatively, the substrate may be exposed to the silicon-containing gas in a process chamber different from the one used for the titanium nitride (TiN) layer deposition.
(FR)L'invention concerne un procédé permettant de former une couche de nitrure de titane siliciure (TiSiN). Une couche de nitrure de titane (TiN) est déposée sur un substrat, la chambre de traitement est purgée, aux fins d'élimination de sous-produits de la réaction et puis la couche de nitrure de titane (TiN) est exposée à un gaz renfermant du silicium, de manière à former la couche de nitrure de titane siliciure (TiSiN). Dans un autre mode de réalisation, le substrat peut être exposé au gaz renfermant du silicium dans une autre chambre de traitement que celle utilisée pour le dépôt de la couche de nitrure de titane (TiN).
Designated States: JP, KR.
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)