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1. (WO2003055020) HYBRID CONFINEMENT LAYERS OF BURIED HETEROSTRUCTURE SEMICONDUCTOR LASER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2003/055020    International Application No.:    PCT/GB2002/005799
Publication Date: 03.07.2003 International Filing Date: 19.12.2002
IPC:
H01S 5/22 (2006.01), H01S 5/227 (2006.01)
Applicants: BOOKHAM TECHNOLOGY PLC [GB/GB]; 90 Milton Park Abingdon Oxon OX14 4RY (GB)
Inventors: PAKULSKI, Grzegorz; (CA).
KNIGHT, Gordon; (CA).
BLAAUW, Cornelius; (CA)
Agent: CLAYTON-HATHWAY, Anthony, Nicholas; Fry Heath & Spence LLP The Gables Massetts Road Horley Surrey, RH6 7DQ (GB)
Priority Data:
10/027,229 20.12.2001 US
Title (EN) HYBRID CONFINEMENT LAYERS OF BURIED HETEROSTRUCTURE SEMICONDUCTOR LASER
(FR) COUCHES DE CONFINEMENT HYBRIDES DE LASER SEMICONDUCTEUR A HETEROSTRUCTURE ENTERREE
Abstract: front page image
(EN)A semiconductor device such as a buried heterostructure semiconductor laser (10) includes a semiconductor substrate (12) supporting an active layer (14) comprising a multiple quantum well active region and confinement layers having defined gratings and grating overgrowth regions to produce a laser device. The device also includes a current confinement layer including a sequence of doped n-p-n-p semiconductor layers to produce a n-p-n-p blocking structure and a semi-insulating semiconductor material deposited over the n-p-n-p blocking structure.
(FR)L'invention concerne un dispositif semiconducteur, tel qu'un laser semiconducteur à hétérostructure enterrée (10). Ce dispositif comprend un substrat semiconducteur (12) supportant une couche active (14) pourvue d'une zone active à puits quantiques multiples, et des couches de confinement pourvues de réseaux définis et de zones de prolifération de réseaux destinées à produire un dispositif laser. Le dispositif selon l'invention comprend également une couche de confinement de courant constituée d'une séquence de couches semiconductrices n-p-n-p dopées, destinées à produire une structure de blocage n-p-n-p, ainsi qu'un matériau semiconducteur semi-isolant déposé sur ladite structure de blocage n-p-n-p.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)