WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2003054955) SILICON SUBSTRATE HAVING AN INSULATING LAYER WITH PARTIAL REGIONS AND A CORRESPONDING ASSEMBLY
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2003/054955    International Application No.:    PCT/EP2002/013398
Publication Date: 03.07.2003 International Filing Date: 27.11.2002
Chapter 2 Demand Filed:    27.06.2003    
IPC:
H01L 21/762 (2006.01), H01L 27/08 (2006.01)
Applicants: AUSTRIAMICROSYSTEMS AG [AT/AT]; Schloss Premstätten, A-8141 Unterpremstätten (AT) (For All Designated States Except US).
STÜCKLER, Ewald [AT/AT]; (AT) (For US Only).
KOPPITSCH, Günther [AT/AT]; (AT) (For US Only)
Inventors: STÜCKLER, Ewald; (AT).
KOPPITSCH, Günther; (AT)
Agent: EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; P.O. Box 200734, 80007 Munich (DE)
Priority Data:
101 61 397.0 13.12.2001 DE
101 63 460.9 21.12.2001 DE
Title (DE) SILIZIUMSUBSTRAT MIT EINER ISOLIERSCHICHT MIT TEILGEBIETEN UND ENTSPRECHENDE ANORDNUNG
(EN) SILICON SUBSTRATE HAVING AN INSULATING LAYER WITH PARTIAL REGIONS AND A CORRESPONDING ASSEMBLY
(FR) SUBSTRAT DE SILICIUM POURVU D'UNE COUCHE ISOLANTE, SUBSTRAT DE SILICIUM ET ASSEMBLAGE D'UN SUBSTRAT DE SILICIUM AVEC UNE COUCHE ISOLANTE
Abstract: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft ein Siliziumsubstrat (1) mit einer Isolierschicht (2), die in Teilgebiete (3, 4) unterteilt ist, mit ersten Bereichen (5), die durch Oxidation von Silizium aus dem Substrat (1) entstandenes Siliziumoxid enthalten und die sich entlang einer Vorzugsrichtung erstrecken, mit zweiten Bereichen (6), die durch Abscheiden hergestelltes Siliziumoxid enthalten und die sich entlang einer Vorzugsrichtung erstrecken, bei dem jedes Teilgebiet (3, 4) wenigstens zwei erste Bereiche (5) und zwei zweite Bereiche (6) enthält, die abwechselnd nebeneinander entlang einer Vorzugsrichtung des Teilgebiets (3, 4) angeordnet sind, und bei dem Teilgebiete (3) einer ersten Art und Teilgebiete (4) einer zweiten Art vorhanden sind, deren Vorzugsrichtungen voneinander verschie-den sind. Durch die Aufteilung der Isolierschicht (2) in Teilgebiete (3, 4) mit verschiedenen Vorzugsrichtungen kann die Qualität der Isolierschicht (2) beziehungsweise die Qualität der Siliziumoxidschicht verbessert werden. Ferner betrifft die Erfindung ein Siliziumsubstrat (1) und die Anordnung eines Siliziumsubstrats (1) mit einer Isolierschicht (2).
(EN)The invention relates to a silicon substrate (1) having an insulating layer (2), which is subdivided into partial regions (3, 4). These partial regions have first areas (5), which contain silicon oxide resulting from the oxidation of silicon from the substrate (1) and which extend along a preferred direction, and have second areas (6), which contain silicon oxide that is produced by deposition and extend along a preferred direction. According to the invention, each partial region (3, 4) contains at least two first areas (5) and two second areas (6), which are alternately situated next to one another along a preferred direction of the partial region (3, 4). In addition, partial regions (3) of a first type and partial regions (4) of a second type exist whose preferred directions are different from one another. The quality of the insulating layer (2) or the quality of the silicon oxide layer can be improved by dividing the insulating layer (2) into partial regions (3, 4) with different preferred directions. The invention also relates to a silicon substrate (1) and to the assembly of a silicon substrate (1) with an insulating layer (2).
(FR)L'invention concerne un substrat de silicium (1) pourvu d'une couche isolante (2) divisée en régions partielles (3, 4). Ces régions partielles comportent des premières zones (5) qui contiennent de l'oxyde de silicium provenant de l'oxydation du silicium du substrat (1) et qui s'étendent dans une direction privilégiée, ainsi que des secondes zones (6) qui contiennent de l'oxyde de silicium produit par dépôt et qui s'étendent dans une direction privilégiée. Chaque région partielle (3, 4) comporte au moins deux premières zones (5) et deux deuxièmes zones (6) disposées en alternance les unes à côté des autres dans une direction privilégiée de la région partielle (3, 4). La couche isolante (2) comprend des régions partielles (3) d'un premier type et des régions partielles (4) d'un deuxième type présentant des orientations préférentielles différentes. La division de la couche isolante (2) en régions partielles (3, 4) présentant des orientations préférentielles différentes permet d'améliorer la qualité de ladite couche isolante (2) ou la qualité de la couche d'oxyde de silicium. L'invention concerne par ailleurs un substrat de silicium (1) et l'assemblage d'un substrat de silicium (1) avec une couche isolante (2).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)