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1. (WO2003054935) METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2003/054935    International Application No.:    PCT/JP2002/012938
Publication Date: 03.07.2003 International Filing Date: 10.12.2002
Chapter 2 Demand Filed:    23.06.2003    
IPC:
H01L 21/324 (2006.01)
Applicants: SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 545-8522 (JP) (For All Designated States Except US).
ASHIDA, Tsutomu [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: ASHIDA, Tsutomu; (JP)
Agent: NOGAWA, Shintaro; MINAMIMORIMACHI PARK BLDG., 1-3, Nishitenma 5-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 530-0047 (JP)
Priority Data:
2001-376014 10.12.2001 JP
Title (EN) METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCEDE POUR FABRIQUER UN DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR
Abstract: front page image
(EN)A method for fabricating a semiconductor device comprising a step for forming an element on a silicon substrate, a step for packaging the element, and a step for annealing a packaged element before being transported or stored for a long term, wherein the element is irradiated with an energy beam in order to prevent generation of a defect.
(FR)La présente invention concerne un procédé pour fabriquer un dispositif à semi-conducteur, comprenant la formation d'un élément sur un substrat de silicium, la mise sous boîtier de l'élément, et le recuit de l'élément mis sous boîtier qui est ensuite transporté et stocké à long terme, l'élément étant exposé à un faisceau énergétique pour éviter l'apparition de défauts.
Designated States: CN, KR, US.
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)