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1. (WO2003054911) PLASMA PROCESS APPARATUS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2003/054911    International Application No.:    PCT/JP2002/013093
Publication Date: 03.07.2003 International Filing Date: 13.12.2002
IPC:
H01J 37/32 (2006.01)
Applicants: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Toyoko 107-8481 (JP) (For All Designated States Except US).
HIGASHIURA, Tsutomu [JP/JP]; (JP) (For US Only).
AKAHORI, Takashi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KAWAKAMI, Satoru [JP/JP]; (JP) (For US Only).
IWAMA, Nobuhiro [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: HIGASHIURA, Tsutomu; (JP).
AKAHORI, Takashi; (JP).
KAWAKAMI, Satoru; (JP).
IWAMA, Nobuhiro; (JP)
Agent: KIMURA, Mitsuru; 2nd Floor, Kyohan Building, 7, Kandanishiki-cho 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 101-0054 (JP)
Priority Data:
2001-380168 13.12.2001 JP
Title (EN) PLASMA PROCESS APPARATUS
(FR) APPAREIL DE TRAITEMENT AU PLASMA
Abstract: front page image
(EN)The upper electrode (15a) and the lower electrode (15b) are installed in the chamber (2) in parallel. Of these electrodes, the upper electrode (15a) is electrically grounded. The lower electrode (15b) is connected to the first RF power generator (13) via the low-pass filter (14) and to the second RF power generator (22) via the high-pass filter (23). Wafer W is held against the upper part of the lower electrode (15b) by the high-temperature electrostatic chuck ESC. By distributing the first and the second RF electric power from the RF power generators (13) and (22), respectively, plasma is produced near the lower electrode (15b), and the wafer W is processed by the plasma. By these procedures, plasma process apparatus with high efficiency in plasma processing and simple structure can be provided.
(FR)L'électrode supérieure (15a) et l'électrode inférieure (15b) de cet appareil sont disposées dans la chambre (2) en parallèle. Entre ces électrodes, l'électrode supérieure (15a) est mise à la masse. L'électrode inférieure (15b) est connectée au premier générateur de courant électrique (13) par le filtre passe-bas (14) et au second générateur de courant électrique (22) par le filtre passe-haut (23). La plaquette W est maintenue contre la partie supérieure de l'électrode supérieure(15b) par le mandrin électrostatique haute température ESC. Par la répartition des premier et second courants électriques provenant des générateurs (13) et (22), on le plasma est produit à côté de l'électrode supérieure (15b), la plaquette W étant ainsi traitée au plasma. Par ces procédures, l'appareil de traitement au plasma, de structure simple, peut avoir un rendement élevé.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)