(EN) A method for erasing a non-volatile memory cell array, the method including applying an erase pulse (100) to at least one bit of at least one memory cell of the array, erase verifying (102) the at least one bit with a first erase verify level, and if the bit has passed the first erase verify level, applying at least one more erase pulse (104) to the at least one bit.
(FR) La présente invention concerne un procédé pour effacer un ensemble de cellules mémoire non volatiles. Ce procédé consiste à appliquer une impulsion d'effacement sur au moins un bit d'au moins une cellule mémoire de l'ensemble, à vérifier l'effacement dudit bit avec un premier niveau de vérification d'effacement, puis, si le bit a passé ledit premier niveau de vérification d'effacement, à appliquer une autre impulsion d'effacement sur ledit bit.
