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1. (WO2003009468) HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR OPTOELECTRONIC TRANSIMPEDANCE AMPLIFIER USING THE FIRST TRANSISTOR AS AN OPTICAL DETECTOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2003/009468 International Application No.: PCT/US2002/022019
Publication Date: 30.01.2003 International Filing Date: 12.07.2002
Chapter 2 Demand Filed: 27.01.2003
IPC:
H03F 3/08 (2006.01)
Applicants: SCOTT, David, C.[US/US]; US
VANG, Timothy, A.[US/US]; US
KALLURI, Srinath[US/US]; US
Inventors: SCOTT, David, C.; US
VANG, Timothy, A.; US
KALLURI, Srinath; US
Agent: PARSONS, Robert, A.; Suite 260 340 E Palm Lane Phoenix, AZ 85004, US
Priority Data:
09/907,34017.07.2001US
Title (EN) HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR OPTOELECTRONIC TRANSIMPEDANCE AMPLIFIER USING THE FIRST TRANSISTOR AS AN OPTICAL DETECTOR
(FR) AMPLIFICATEUR D'ADAPTATION D'IMPEDANCE OPTOELECTRONIQUE A TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION UTILISANT LE PREMIER TRANSISTOR COMME UN DETECTEUR OPTIQUE
Abstract: front page image
(EN) A monolithically integrated heterojunction bipolar transistor optoelectric transimpedance amplifier using the first transistor (250) as an optical detector. An edge illuminated epilayer waveguide phototransistor is used as the light-detecting element. The phototransistor is used as an optical detector in which the incident light pulses are converted to electrical pulses and then amplified for further signal processing. The phototransistor is monolithically integrated on the same material substrate as the emitter follower amplifier (260) so that the parasitics normally associated with re ceiver circuitry are minimized. By eliminating the parasitic impedances, the circuit can be used as a receiver in high bit rate optical communication systems.
(FR) L'invention concerne un amplificateur (250) d'adaptation d'impédance optoélectronique à transistor bipolaire à hétérojonction utilisant le premier transistor comme détecteur optique. Un phototransistor de guide d'ondes à couche épitaxiale éclairé par la tranche est utilisé comme élément de détection de lumière. Ledit phototransistor est utilisé comme un détecteur optique dans lequel les impulsions de lumière incidente sont converties en impulsions électriques puis amplifiées pour un traitement de signal ultérieur. Ledit phototransistor est intégré de manière monolithique au même substrat de matériau que l'amplificateur à montage émidyne (260), de telle sorte que les parasites associés normalement au circuit récepteur sont minimisés. En éliminant les impédances parasitaires, le circuit peut être utilisé comme récepteur dans un système de communication optique à débit binaire élevé.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)