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1. (WO2003009399) GALLIUM NITRIDE-BASED LED AND A PRODUCTION METHOD THEREFOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2003/009399    International Application No.:    PCT/DE2002/002677
Publication Date: 30.01.2003 International Filing Date: 19.07.2002
Chapter 2 Demand Filed:    19.02.2003    
IPC:
H01L 21/205 (2006.01), H01L 33/00 (2010.01)
Applicants: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Wernerwerkstr. 2, 93049 Regensburg (DE) (For All Designated States Except US).
HAHN, Berthold [DE/DE]; (DE) (For US Only).
HANGLEITER, Andreas [DE/DE]; (DE) (For US Only).
HÄRLE, Volker [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: HAHN, Berthold; (DE).
HANGLEITER, Andreas; (DE).
HÄRLE, Volker; (DE)
Agent: EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Ridlerstrasse 55, 80339 München (DE)
Priority Data:
101 35 189.5 19.07.2001 DE
Title (DE) GALLIUMNITRID-BASIERTE LED UND IHR HERSTELLUNGSVERFAHREN
(EN) GALLIUM NITRIDE-BASED LED AND A PRODUCTION METHOD THEREFOR
(FR) DIODE ELECTROLUMINESCENTE A BASE DE NITRURE DE GALLIUM ET PROCEDE DE FABRICATION ASSOCIE
Abstract: front page image
(DE)Es wird ein Verfahren zum Herstellen einer lichtemittierenden Vorrichtung auf Basis eines Galliumnitrid-basierten Verbindungshalbleiters vorgeschlagen, mit einer lichtemittierenden Schicht (2) mit einer ersten und einer zweiten Hauptfläche, die aus einem Verbindungshalbleiter auf Galliumnitridbasis gebildet ist; einer ersten Überzugsschicht (3), die mit der ersten Hauptfläche der lichtemittierenden Schicht (2) verbunden und aus einem n-Typ-Verbindungshalbleiter auf Galliumnitridbasis gebildet ist, dessen Zusammensetzung sich von derjenigen des Verbindungshalbleiters der lichtemittierenden Schicht unterscheidet; und einer zweiten Überzugsschicht (4), die mit der zweiten Hauptfläche der lichtemittierenden Schicht (2) verbunden und aus einem p-Typ-Verbindungshalbleiter auf Galliumnitridbasis gebildet ist, dessen Zusammensetzung sich von derjenigen des Verbindungshalbleiters der lichtemittierenden Schicht unterscheidet. Zur Verbesserung der Lumineszenzausbeute der Vorrichtung (1) ist die Dicke der lichtemittierenden Schicht (2) in der Nähe von Versetzungen (10) geringer als im übrigen Be-reich ausgebildet.
(EN)The invention relates to a method for producing a light-emitting device based on a gallium nitride-based compound semiconductor, comprising a light-emitting layer (2), which is provided with a first and a second main surface and formed from a compound semiconductor based on gallium nitride. The inventive device also comprises a first covering layer (3), which is connected to the first main surface of the light-emitting layer (2) and formed from an n-type compound semiconductor based on gallium nitride, whose composition differs from that of the compound semiconductor of the light-emitting layer. Lastly, the inventive device comprises a second covering layer (4), which is connected to the second main surface of the light-emitting layer (2) and formed from a p-type compound semiconductor based on gallium nitride, whose composition also differs from that of the compound semiconductor of the light-emitting layer. In order to improve the luminescence yield of the device (1), the thickness of the light-emitting layer (2) in the proximity of offsets (10) is less than in the remaining area.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif électroluminescent basé sur un semi-conducteur de connexion à base de nitrure de gallium. Ce dispositif comprend les éléments suivants : une couche électroluminescente (2), comportant une première et une deuxième surface principale et constituée d'un semi-conducteur de connexion à base de nitrure de gallium ; une première couche de revêtement (3), reliée à la première surface principale de la couche électroluminescente (2) et formée d'un semi-conducteur de connexion de type n à base de nitrure de gallium, dont la composition se différencie de celle du semi-conducteur de connexion de la couche électroluminescente ; une deuxième couche de revêtement (4), reliée à la deuxième surface principale de la couche électroluminescente (2) et formée d'un semi-conducteur de connexion de type p à base de nitrure de gallium, dont la composition diffère de celle du semi-conducteur de connexion de la couche électroluminescente. Afin d'améliorer le rendement d'électroluminescence dudit dispositif (1), l'épaisseur de la couche électroluminescente (2) est plus faible à proximité de déports (10) que dans le reste du dispositif.
Designated States: CN, JP, US.
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SK, TR).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)