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1. (WO2003009390) MIS TYPE TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2003/009390 International Application No.: PCT/JP2002/006485
Publication Date: 30.01.2003 International Filing Date: 27.06.2002
IPC:
H01L 21/28 (2006.01) ,H01L 21/285 (2006.01) ,H01L 29/49 (2006.01)
Applicants: KOMATSU, Hiroshi[JP/JP]; JP (UsOnly)
SUZUKI, Toshiharu[JP/JP]; JP (UsOnly)
SONY CORPORATION[JP/JP]; 7-35, Kitashinagawa 6-chome Shinagawa-ku, Tokyo 141-0001, JP (AllExceptUS)
Inventors: KOMATSU, Hiroshi; JP
SUZUKI, Toshiharu; JP
Agent: NAKAMURA, Tomoyuki; c/o Miyoshi International Patent Office 9th Floor, Toranomon Daiichi Building 2-3, Toranomon 1-chome Minato-ku, Tokyo 105-0001, JP
Priority Data:
2001-20930110.07.2001JP
Title (EN) MIS TYPE TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD
(FR) TRANSISTOR DU TYPE MIS ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ
Abstract: front page image
(EN) A MIS type transistor for optionally and sequentially controlling a work function as viewed from the gate insulation film side of a gate electrode to a value different from the characteristic value inherent in the material of the gate electrode, and for sequentially controlling Vth according to the different value. MIS type transistors (100A, 100B) have a lamination structure of a variety of metal layers (11, 12, 13) with different work functions, and the first metal layer (11) which contacts the gate insulation film (2) is formed into a film thickness of 5 debye length or less by atomic layer CVD.
(FR) L'invention concerne un transistor du type MIS (métal-isolant-semiconducteur) qui permet de contrôler de manière optionnelle et séquentielle une fonction de travail telle qu'elle est vue depuis le côté du film d'isolation de grille d'une électrode grille afin de la régler sur une valeur différente de la valeur caractéristique inhérente au matériau de l'électrode grille. Ce transistor permet également de contrôler de manière séquentielle Vth en fonction de la valeur différente. Les transistors du type MIS (100A, 100B) présentent une structure de lamination constitué de diverses couches métalliques (11, 12, 13) présentant différentes fonctions de travail. Un film présentant une longueur de Debye de 5 ou moins est formé par dépôt chimique de couches atomiques en phase vapeur à partir de la première de ces couches métalliques (11), qui est en contact avec le film d'isolation de grille (2).
Designated States: KR, US
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)