WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2003009387) SEMICONDUCTOR STRUCTURE FOR EDGE MOUNTING APPLICATIONS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2003/009387    International Application No.:    PCT/US2002/011298
Publication Date: 30.01.2003 International Filing Date: 10.04.2002
IPC:
H01L 21/20 (2006.01), H01L 27/15 (2006.01), H01S 5/02 (2006.01), H01S 5/183 (2006.01)
Applicants: MOTOROLA, INC. [US/US]; 1303 East Algonquin Road Schaumburg, IL 60196 (US)
Inventors: TUNGARE, Aroon; (US).
VALLIATH, George; (US)
Agent: KOCH, William, E.; 3102 North 56th Street AZ11/56-238 Phoenix, AZ 85018-6606 (US)
Priority Data:
09/906,782 18.07.2001 US
Title (EN) SEMICONDUCTOR STRUCTURE FOR EDGE MOUNTING APPLICATIONS
(FR) STRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE POUR APPLICATIONS DE MONTAGE DE TRANCHES
Abstract: front page image
(EN)Semiconductor structures and a method for fabricating semiconductor structures optimized for use in free space optical interconnect systems are disclosed. The semiconductor structures includes a optical component die edge (250) mounted on a carrier structure (252). The die is formed using high quality epitaxial layers of monocrystalline compound semiconductor materials (26) grown overlying monocrystalline substrates (22) such as large silicon wafers by forming a compliant substrate for growing the compound semiconductor monocrystalline layers. The dieis edge mounted to the carrier structure such that light beams emitted or detected by devices on the die are parallel to the surface of the carrier structure.
(FR)L'invention se rapporte à des structures semi-conductrices et à un procédé de fabrication de structures semi-conductrices optimisées aux fins d'utilisation dans des systèmes d'interconnexion optique en espace libre. Lesdites structures semi-conductrices comprennent une tranche de dé (250) d'élément optique montée sur une structure de support (252). Le dé est formé de couches épitaxiales de grande qualité de matières semi-conductrices composées monocristallines (26), que l'on fait croître par dessus des substrats monocristallins (22) telles de grandes plaquettes de silicium, par la formation d'un substrat adaptatif permettant la croissance des couches monocristallines semi-conductrices composées. Le dé est monté par la tranche sur la structure de support, de façon que les rayons lumineux émis ou détectés par les dispositifs situés sur le dé soient parallèles à la surface de la structure de support.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)