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1. (WO2003009386) METHOD FOR PRODUCING BONDING WAFER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2003/009386    International Application No.:    PCT/JP2002/006965
Publication Date: 30.01.2003 International Filing Date: 09.07.2002
IPC:
H01L 21/30 (2006.01), H01L 21/46 (2006.01), H01L 21/8238 (2006.01), H01L 27/12 (2006.01)
Applicants: SHIN-ETSU HANDOTAI CO.,LTD. [JP/JP]; 4-2, Marunouchi 1-chome Chiyoda-ku, Tokyo 100-0005 (JP) (For All Designated States Except US).
AGA, Hiroji [JP/JP]; (JP) (For US Only).
TOMIZAWA, Shinichi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
MITANI, Kiyoshi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: AGA, Hiroji; (JP).
TOMIZAWA, Shinichi; (JP).
MITANI, Kiyoshi; (JP)
Agent: YOSHIMIYA, Mikio; Uenosansei Bldg. 4F 6-4, Motoasakusa 2-chome Taito-ku, Tokyo 111-0041 (JP)
Priority Data:
2001-216828 17.07.2001 JP
Title (EN) METHOD FOR PRODUCING BONDING WAFER
(FR) PROCEDE DE PRODUCTION DE PLAQUETTES DE LIAISON
Abstract: front page image
(EN)A method for producing a bonding wafer by ion implantation stripping method comprising a step for bonding a bond wafer having a micro bubble layer formed by gas ion implantation and a base wafer becoming a supporting substrate, and a step for stripping the bond wafer with the micro bubble layer as a boundary and forming a thin film on the base wafer, wherein the pasted wafer from which the bond wafer is stripped is heat treated in the atmosphere of an inert gas, hydrogen gas or their mixture gas, a thermal oxide film is formed on the surface of the thin film by thermally oxidizing the pasted wafer, and then the thickness of the thin film is reduced by removing the thermal oxide film. Damages and defects on the surface of a pasted wafer produced by ion implantation stripping method can be removed surely while sustaining uniformity in the thickness of a thin film on the wafer, and a method for producing a bonding wafer sufficiently applicable as a mass production technology is provided.
(FR)L'invention concerne un procédé de production d'une plaquette de liaison par le biais d'un procédé de décapage d'implantation ionique consistant à coller une plaquette de liaison présentant une couche de micro bulles formée au moyen d'une implantation ionique de gaz, une plaquette de base se transformant en un substrat de support, à décaper la plaquette de liaison avec la couche de micro bulles en tant que limite, et à former un film mince sur la plaquette de base. La plaquette collée à partir de laquelle la plaquette de liaison est décapée subit un traitement thermique dans l'atmosphère d'un gaz inerte, d'hydrogène gazeux ou du mélange de ces gaz. Un film d'oxyde thermique est formé à la surface du film mince par le biais d'une oxydation thermique de la plaquette collée, puis l'épaisseur du film mince est réduite par le biais de la suppression du film d'oxyde thermique. Des dommages et des défauts situés à la surface de la plaquette collée et produits par le procédé de décapage d'implantation ionique peuvent être supprimés de manière sûre tout en maintenant l'uniformité au niveau de l'épaisseur d'un film mince sur la plaquette. L'invention concerne également un procédé de production d'une plaquette de liaison pouvant présenter suffisamment d'applications en tant que technologie de production de masse.
Designated States: CN, JP, KR, SG, US.
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SK, TR).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)