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1. (WO2003009375) SEMICONDUCTOR BACK SIDE PROCESSING
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2003/009375    International Application No.:    PCT/US2002/011035
Publication Date: 30.01.2003 International Filing Date: 09.04.2002
IPC:
H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01), H01L 21/8258 (2006.01), H01L 27/06 (2006.01)
Applicants: MOTOROLA, INC. [US/US]; 1303 East Algonquin Road Schaumburg, IL 60196 (US)
Inventors: GORRELL, Jonathan, F.; (US)
Agent: KOCH, William, E.; Motorola Labs 3102 North 56th Street AZ11/56-238 Phoenix, AZ 85018-6606 (US)
Priority Data:
09/905,110 16.07.2001 US
Title (EN) SEMICONDUCTOR BACK SIDE PROCESSING
(FR) TRAITEMENT DU DOS DE SEMI-CONDUCTEUR
Abstract: front page image
(EN)Highly controlled, highly aligned monolithic integration of devices in a high quality monocrystalline material layer (26) with vias (211, 231) fabricated in an underlying monocrystalline substrate (22) in a single monolithic three dimensional architecture (20, 34). Excellent compliancy is achieved in a monolithic semiconductor structure (20, 34) by processes described herein while at the same time fabrication of via openings (211, 231) in the monocrystalline substrate (20, 34) can be made in a controlled, aligned manner to the back side (263) of a high quality monocrystalline film (26). Conductive connections (219, 239) can be made to devices (271, 273) in the high quality monocrystalline layer (26) from its backside (263).
(FR)L'invention concerne une intégration monolithique hautement contrôlée et hautement alignée de dispositifs dans une couche (26) de matériau monocristallin de haute qualité dotée de passages (211, 231) fabriquée dans un substrat (22) monocristallin sous-jacent suivant une architecture tridimensionnelle monolithique simple (20, 34). On obtient une excellente conformité dans une structure semi-conductrice monolithique (20, 34) par des procédés selon l'invention et, parallèlement, on réalise la fabrication de passages (211, 231) dans le substrat monocristallin (20, 34), d'une manière contrôlée et alignée par rapport au dos (263) d'un film (26) monocristallin de haute qualité. Des connexions conductrices (219, 239) à des dispositifs (271, 273) peuvent être réalisées dans la couche (26) monocristalline à partir de son dos (263).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)