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1. (WO2003009304) DUTY-CYCLE-EFFICIENT SRAM CELL TEST
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2003/009304    International Application No.:    PCT/EP2002/008472
Publication Date: 30.01.2003 International Filing Date: 11.07.2002
Chapter 2 Demand Filed:    11.02.2003    
IPC:
G11C 29/28 (2006.01), G11C 29/34 (2006.01)
Applicants: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road, Armonk, NJ 10504 (US) (AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BE, BF, BG, BJ, BR, BY, BZ, CA, CF, CG, CH, CI, CM, CN, CO, CR, CU, CY, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, FR, GA, GB, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GR, GW, HR, HU, ID, IE, IL, IN, IS, IT, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, ML, MN, MR, MW, MX, MZ, NE, NL, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, SN, SZ, TD, TG, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW only).
COMPAGNIE IBM FRANCE [FR/FR]; Tour Descartes, 2, avenue Gambetta, F-92066 Paris La Défense Cedex (FR) (MC only)
Inventors: IMBERT DE TREMIOLLES, Ghislain; (FR).
TANNHOF, Pascal; (FR)
Agent: KLEIN, Daniel; Compagnie IBM France, Direction de la Propriété Intellectuelle, F-06610 La Gaude (FR)
Priority Data:
09/907,325 17.07.2001 US
Title (EN) DUTY-CYCLE-EFFICIENT SRAM CELL TEST
(FR) TEST DE CELLULE DE MEMOIRE VIVE STATIQUE A POURCENTAGE D'UTILISATION EFFICACE
Abstract: front page image
(EN)A method and structure for the invention includes an integrated memory structure having a built-in test portion. The integrated memory structure has memory cells, bitlines and wordlines connected to the memory cells, wordline decoders connected to a plurality of the wordlines, bitline restore devices connected to the bitlines for charging the bitlines during read and write operations, and a clock circuit connected to the wordlines. During a test mode the wordline decoders simultaneously select multiple wordlines that the bitline restore devices maintain in an active state and the clock circuit maintains the multiple wordlines and the bitline restore devices in an active state for a period in excess of a normal read cycle. The invention also includes transistors which are connected to the memory cells. The transistors include bitline contacts which are stressed during the test mode.
(FR)La présente invention concerne une structure de mémoire intégrée comportant une partie de test intégré. Cette structure de mémoire possède des cellules de mémoire, des lignes binaires et des lignes de mots connectées aux cellules de mémoire, des décodeurs de lignes de mots connectés à plusieurs lignes de mots, des dispositifs de restauration de lignes binaires connectés aux lignes binaires pour charger ces lignes binaires pendant les opérations de lecture et d'écriture, et un circuit d'horloge connecté aux lignes de mots. Pendant un mode test, les décodeurs des lignes de mots sélectionnent simultanément de multiples lignes de mots que les dispositifs de restauration de lignes binaires maintiennent dans un état actif, et le circuit d'horloge maintient les multiples lignes de mots et les dispositifs de restauration de lignes binaires dans un état actif pendant une période supérieure à un cycle de lecture normal. L'invention traite aussi de transistors qui sont connectés aux cellules de mémoire. Ces transistors comprennent des contacts de lignes binaires qui sont mis sous contraintes pendant le mode test.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)