WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2003008676) METHOD FOR PREPARING TUNGSTATE SINGLE CRYSTAL
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2003/008676    International Application No.:    PCT/JP2002/006607
Publication Date: 30.01.2003 International Filing Date: 28.06.2002
IPC:
C30B 1/00 (2006.01), C30B 9/00 (2006.01), C30B 33/00 (2006.01)
Applicants: FURUKAWA CO., LTD. [JP/JP]; 6-1, Marunouchi 2-chome Chiyoda-ku, Tokyo 100-8370 (JP)
Inventors: KOBAYASHI, Seiji; (JP).
YAMAMOTO, Kazutomi; (JP)
Agent: MORI, Tetsuya; Nichiei Kokusai Tokkyo Jimusho Yusen Iwamotocho Bldg. 8th Floor 3-3, Iwamoto-cho 2-chome Chiyoda-ku, Tokyo 101-0032 (JP)
Priority Data:
2001-212336 12.07.2001 JP
Title (EN) METHOD FOR PREPARING TUNGSTATE SINGLE CRYSTAL
(FR) PROCEDE POUR PREPARER UN MONOCRISTAL DE TUNGSTATE
Abstract: front page image
(EN)A method for preparing a tungstate single crystal which comprises growing a tungstate single crystal using, as a raw material, tungsten trioxide and a divalent metal oxide or carbonate, tungsten trioxide and a monovalent metal oxide or carbonate and a trivalent metal oxide, or a tungstate represented by the molecular formula: XIIWO4 or XIXIII(WO4)2, wherein XI, XII and XIII represent a monovalent metal element, a divalent metal element and a trivalent metal element, respectively, which is formed through heating above oxides and/or carbonates, and then heating the grown tungstate single crystal at 600°C to 1550°C in an atmosphere having a partial pressure of oxygen adjusted to a pressure less than that in the air. The above method allows the preparation of a tungstate single crystal having an enhanced density and exhibiting an increased quantity of light, which is useful as a scintillator for detecting a radiation such as X−ray or ϝ−ray, and a tungstate single crystal exhibiting an improved heat conductivity, which is useful as a laser host of a two wave laser device.
(FR)Cette invention se rapporte à un procédé servant à préparer un monocristal de tungstate et qui consiste à cet effet à croître un monocristal de tungstate en utilisant, comme matériau brut, du trioxyde de tungstène et un oxyde ou carbonate de métal divalent, du trioxyde de tungstène et un oxyde au carbonate de métal monovalent et un oxyde de métal trivalent, ou un tungstate représenté par la formule moléculaire: XIIWO4 ou XIXIII(WO4)2, où XI, XII et XIII représentent un élément métal monovalent, un élément métal divalent et un élément métal trivalent, respectivement, que l'on forme en chauffant les oxydes et/ou carbonates mentionnés ci-dessus et en chauffant ensuite le monocristal de tungstate obtenu ainsi par croissance à une température comprise entre 600 °C et 1550 °C dans une atmosphère ayant une pression partielle d'oxygène ajustée sur une pression inférieure à celle de l'air. Ce procédé permet de préparer un monocristal de tungstate ayant une plus grande densité et possédant une quantité de lumière accrue, qui est utile comme scintillateur pour détecter un rayonnement tel que des rayons X ou des rayons $g(g), ainsi qu'un monocristal de tungstate possédant une conductivité thermique améliorée, qui est utile comme matériau hôte laser d'un dispositif laser à deux ondes.
Designated States: CN, CZ, HU, JP, RU.
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)