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1. (WO2003008665) METHOD AND APPARATUS FOR BPSG DEPOSITION
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2003/008665    International Application No.:    PCT/US2002/022608
Publication Date: 30.01.2003 International Filing Date: 16.07.2002
Chapter 2 Demand Filed:    20.02.2003    
IPC:
C23C 16/40 (2006.01)
Applicants: APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; P.O. Box 450 A, Santa Clara, CA 95052 (US)
Inventors: MUKAI, Kevin; (US).
CHANDRAN, Shankar; (US)
Agent: BERNADICOU, Michael A.; Blakely, Sokoloff, Taylor & Zafman LLP, 12400 Wilshire Boulevard, 7th floor, Los Angeles, CA 90025 (US)
Priority Data:
09/910,583 20.07.2001 US
Title (EN) METHOD AND APPARATUS FOR BPSG DEPOSITION
(FR) PROCEDE ET APPAREIL DE DEPOT DE BOROPHOSPHOSILICATE
Abstract: front page image
(EN)A method and apparatus for controlling dopant concentration during borophosphosilicate glass film deposition on a semiconductor wafer to reduce comsumption of nitride on the semiconductor wafer. In one embodiment of the invention, the method starts by placing a substrate having a nitride layer in a reaction chamber (502) and providing a silicon source, an oxygen source and a boron source into the reaction chamber while delaying providing a phosphorous source into the reaction chamber to form a borosilicate glass layer over the nitride layer (504). The method continues by providing the silicon, oxygen, boron and phosphorous sources into the reaction chamber to form a borophosphosilicate film over the borosilicate glass layer (506).
(FR)L'invention concerne un procédé et un appareil permettant de réguler la concentration dopante, pendant le dépôt d'un film de verre de borophosphosilicate sur une plaquette semi-conductrice, de manière à diminuer la consommation de nitrure de ladite plaquette. Dans un mode de réalisation, ledit procédé consiste d'abord à placer un substrat pourvu d'une couche de nitrure dans une chambre à réaction (502) et à fournir une source de silicium, une source d'oxygène et une source de bore dans la chambre à réaction, tandis qu'on retarde le moment de l'apport d'une source de phosphore dans la chambre à réaction de manière à former une couche de verre de borosilicate sur la couche de nitrure (504). Puis, ledit procédé consiste à amener les sources de silicium, d'oxygène, de bore et de phosphore dans la chambre à réaction de manière à constituer un film de borophosphosilicate sur la couche de verre de borosilicate (506).
Designated States: CN, JP, KR.
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SK, TR).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)