(EN) A single-electron transistor includes a projecting feature, such as a pyramid (150), that projects from a face of a substrate (100). A first electrode (110) is provided on the substrate face that extends onto the projecting feature. A second electrode (120) is provided on the substrate face that extends onto the projecting feature and that is spaced apart from the first electrode. At least one nanoparticle (140) is provided on the projecting feature between the first and second electrodes (110, 120). Accordingly, the geometric configuration of the projecting feature can define the spacing between the first and second electrodes (110, 120). The single-electron transistors may be fabricated by forming a projecting feature on a substrate that projects from a face thereof, forming a first electrode (110) on the substrate face that extends onto the projecting feature, forming a second electrode (120) on the substrate face that extends onto the projecting feature and that is spaced apart from the first electrode, and placing at least one nanoparticle (140) on the projecting feature between the first and second electrodes (110, 120).
(FR) Cette invention concerne un transistor à électron unique comprenant une forme saillante, telle qu'une pyramide (150), qui fait saillie à partir d'une face d'un substrat (100). Une première électrode (110) est disposée sur la face du substrat, laquelle électrode s'étend sur la forme saillante. Une deuxième électrode (120) est disposée sur la face du substrat, laquelle électrode s'étend sur la forme saillante et est espacée de la première électrode. Au moins une nanoparticule (140) est disposée sur la forme saillante entre la première et la deuxième électrode (110, 120). Ainsi, la configuration géométrique de la forme saillante peut définir un espace entre la première et la deuxième électrode (110, 120). Ces transistors à électron unique peuvent être fabriqués au moyen d'un procédé consistant à former une forme saillante sur un substrat, laquelle forme fait saillie à partir d'une face de ce substrat ; à former une première électrode (110) sur la face du substrat qui s'étend sur la forme saillante ; à former une deuxième électrode (120) sur la face du substrat, laquelle électrode s'étend sur la forme saillante et est espacée de la première électrode ; et à placer au moins une nanoparticule (140) sur la forme saillante entre la première et la deuxième électrode (110, 120).