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1. (WO2003007358) PLASMA REACTOR FOR MANUFACTURING ELECTRONIC COMPONENTS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2003/007358    International Application No.:    PCT/KR2002/001273
Publication Date: 23.01.2003 International Filing Date: 05.07.2002
IPC:
H01L 21/3065 (2006.01), H05H 1/46 (2006.01)
Applicants: ANS CO., LTD. [KR/KR]; 451-4, Mogok-Dong, Pyungtaek-City Kyunggi-Do 459-040 (KR) (For All Designated States Except US).
BAE, Kyung-Bin [KR/KR]; (KR) (For All Designated States Except US).
PARK, Hee-Kook [KR/KR]; (KR) (For US Only)
Inventors: PARK, Hee-Kook; (KR)
Agent: CHUNG, Yeon, Yong; Hyundai Topics Bldg., 1203ho, Bangi-dong Songspa-gu Seoul 138-050 (KR)
Priority Data:
2001/40786 09.07.2001 KR
Title (EN) PLASMA REACTOR FOR MANUFACTURING ELECTRONIC COMPONENTS
(FR) REACTEUR A PLASMA CONCU POUR LA PRODUCTION DE COMPOSANTS ELECTRONIQUES
Abstract: front page image
(EN)Disclosed is a plasma reactor for etching the material, such as a semiconductor wafer, which is to solve the problem of unbalance of plasma ion density between a wafer's central part and its edge part. A plurality of coils in the present invention, each having a different polarity and being connected to the adjacent coil in series, form active electron layer that oscillate around the wafer edge with the very fast speed. And, the modified structure of gas injector enables mixed gas to spread fast. Therefore, this invention has advantages that the problem of unbalance of the wafer etching rate and plasma ion density between the wafer's central and edge part can be solved. Also, a magnetic coil array according to the present invention which can be run by AC or single power driver such as pulse signal. Therefore, a driver circuit becomes very simple.
(FR)L'invention concerne un réacteur à plasma servant à attaquer un matériau tel qu'une tranche de semi-conducteur, ce réacteur devant permettre de résoudre le problème du déséquilibre de la densité d'ions de plasma entre la partie centrale de la tranche et sa partie périphérique. Selon la présente invention, une pluralité de bobines, chacune possédant une polarité différente et étant reliée en série à la bobine adjacente, forme une couche d'électrons actifs qui oscillent autour des bords de ladite tranche à très grande vitesse. La structure modifiée de l'injecteur de gaz permet à des gaz mixtes d'être dispersés rapidement. Ainsi avec ladite invention le problème du déséquilibre du taux de gravure et de la densité des ions de plasma entre la partie centrale de la tranche et sa partie périphérique est résolu. En outre, un ensemble de bobines magnétiques peut être exciter par un seul signal d'attaque tel qu'un courant alternatif ou un signal à impulsions. Par conséquent, la structure d'un circuit d'attaque devient très simple.
Designated States: JP, US.
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SK, TR).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: Korean (KO)