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1. (WO2003007327) SHALLOW-ANGLE INTERFERENCE PROCESS AND APPARATUS FOR DETERMINING REAL-TIME ETCHING RATE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2003/007327    International Application No.:    PCT/US2002/023234
Publication Date: 23.01.2003 International Filing Date: 12.07.2002
Chapter 2 Demand Filed:    05.02.2003    
IPC:
H01J 37/32 (2006.01)
Applicants: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC. [US/US]; 55 Cherry Hill Drive Beverly, MA 01915-1053 (US)
Inventors: CARDOSO, Andre; (PT).
JANOS, Alan; (US)
Agent: ROBITAILLE, Denis; Axcelis Technologies, Inc. 55 Cherry Hill Drive Beverly, MA 01915-1053 (US).
BURKE, Steven D.,; R.G.C.JENKINS & CO., 26 Caxton Street, London, SW1H 0RJ, (GB)
Priority Data:
09/905,032 13.07.2001 US
Title (EN) SHALLOW-ANGLE INTERFERENCE PROCESS AND APPARATUS FOR DETERMINING REAL-TIME ETCHING RATE
(FR) PROCEDE D'INTERFERENCE A ANGLE TRES FAIBLE ET APPAREIL POUVANT DETERMINER UN TAUX DE GRAVURE EN TEMPS REEL
Abstract: front page image
(EN)A process and apparatus for determining a real-time etching rate during a plasma mediated etching process. Real-time etching rate determination includes monitoring an interference pattern generated by a direct light beam and a reflected light beam from a wafer surface. A viewing angle for recording the interference pattern is nearly parallel to the wafer plane and at a fixed focal point on the layer to be removed. The direct light beam and reflected light beams are generated in situ during plasma processing.
(FR)L'invention concerne un procédé et un appareil qui permettent de déterminer un taux de gravure en temps réel au cours d'un processus de gravure au plasma. Le procédé de détermination du taux de gravure en temps réel consiste à contrôler un motif d'interférence généré par un faisceau lumineux direct et un faisceau lumineux réfléchi à partir d'une surface d'une plaquette. Un angle de visualisation pour l'enregistrement du motif d'interférence est presque parallèle au plan de la plaquette et situé à un point focal fixe sur la couche à enlever. Le faisceau lumineux direct et le faisceau lumineux réfléchi sont produits in situ pendant le traitement au plasma.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)