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1. (WO2003007326) METHOD AND APPARATUS FOR MICRO-JET ENABLED, LOW ENERGY ION GENERATION AND TRANSPORT IN PLASMA PROCESSING
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2003/007326    International Application No.:    PCT/US2002/023232
Publication Date: 23.01.2003 International Filing Date: 12.07.2002
Chapter 2 Demand Filed:    05.02.2003    
IPC:
H01J 37/32 (2006.01)
Applicants: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC. [US/US]; 55 Cherry Hill Drive, Beverly, MA 01915-1053 (US)
Inventors: SRIVASTAVA, Aseem; (US).
SAKTHIVEL, Palani; (US).
SAWIN, Herbert; (US)
Agent: ROBITAILLE, Denis; Axcelis Technologies, Inc., 55 Cherry Hill Drive, Beverly, MA 01915-1053 (US).
BURKE, Steven, D.; R.G.C. Jenkins & Co., 26 Caxton Street, London SW1H 0RJ (GB)
Priority Data:
09/905,043 13.07.2001 US
Title (EN) METHOD AND APPARATUS FOR MICRO-JET ENABLED, LOW ENERGY ION GENERATION AND TRANSPORT IN PLASMA PROCESSING
(FR) PROCEDE ET APPAREIL DESTINES A LA PRODUCTION ET AU TRANSPORT D'IONS DE FAIBLE ENERGIE INDUITS PAR MICROJET DANS LE TRAITEMENT AU PLASMA
Abstract: front page image
(EN)A method for creating and transporting low-energy ions for use in plasma processing of a semiconductor wafer is disclosed. In an exemplary embodiment of the invention, the method includes generating plasma from a gas species to produce a plasma exhaust. The plasma exhaust is then introduced into a processing chamber containing the wafer. The ion content of the plasma exhaust is enhanced by activating a supplemental ion source as the plasma is introduced into the processing chamber, thereby creating a primary plasma discharge therein. Then, the primary plasma discharge is directed into a baffle plate assembly, thereby creating a secondary plasma discharge exiting the baffle plate assembly. The strength of an electric field exerted on ions contained in the secondary plasma discharge is reduced. In so doing, the reduced strength of the electric field causes the ions to bombard the wafer at an energy insufficient to cause damage to semiconductor devices formed on the wafer.
(FR)L'invention concerne un procédé destiné à créer et à transporter des ions de faible énergie en vue de les utiliser dans un traitement au plasma d'une plaquette à semi-conducteur. Dans un mode de réalisation exemplaire, le procédé consiste à produire du plasma à partir d'espèces de gaz afin de produire une émission de plasma. Cette émission de plasma est ensuite introduite dans une chambre de traitement contenant la plaquette. La teneur en ions de l'émission de plasma est augmentée par activation d'une source d'ions supplémentaire à mesure que le plasma est introduit dans la chambre de traitement, créant ainsi une décharge de plasma primaire dans la chambre. Puis, cette décharge de plasma primaire est dirigée vers un ensemble déflecteur, créant ainsi une seconde décharge de plasma sortant dudit ensemble. L'intensité d'un champ électrique exercée sur les ions contenus dans la décharge de plasma secondaire est réduite. Ainsi, l'intensité réduite du champ électrique entraîne le bombardement de la plaquette par des ions avec une énergie insuffisante pour endommager les dispositifs à semi-conducteur formés sur cette plaquette.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)