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1. (WO2003005514) SEMICONDUCTOR LASER DEVICE, SEMICONDUCTOR LASER MODULE, AND OPTICAL FIBER AMPLIFIER USING SEMICONDUCTOR LASER MODULE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2003/005514    International Application No.:    PCT/JP2002/005791
Publication Date: 16.01.2003 International Filing Date: 11.06.2002
IPC:
G02B 6/34 (2006.01), G02B 6/42 (2006.01), H01S 3/094 (2006.01), H01S 3/30 (2006.01), H01S 5/00 (2006.01), H01S 5/022 (2006.01), H01S 5/024 (2006.01), H01S 5/10 (2006.01), H01S 5/125 (2006.01), H01S 5/14 (2006.01), H01S 5/32 (2006.01), H01S 5/34 (2006.01), H01S 5/40 (2006.01)
Applicants: THE FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD [JP/JP]; 6-1, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 100-8322 (JP) (FR, GB, JP only).
YOSHIDA, Junji [JP/JP]; (JP) (For US Only).
TSUKIJI, Naoki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KIMURA, Toshio [JP/JP]; (JP) (For US Only).
NAKAE, Masashi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
AIKIYO, Takeshi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: YOSHIDA, Junji; (JP).
TSUKIJI, Naoki; (JP).
KIMURA, Toshio; (JP).
NAKAE, Masashi; (JP).
AIKIYO, Takeshi; (JP)
Agent: SAKAI, Hiroaki; Tokyo Club Building, 2-6, Kasumigaseki 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 100-0013 (JP)
Priority Data:
2001-201513 02.07.2001 JP
2001-304435 28.09.2001 JP
2001-325706 23.10.2001 JP
2002-112643 15.04.2002 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR LASER DEVICE, SEMICONDUCTOR LASER MODULE, AND OPTICAL FIBER AMPLIFIER USING SEMICONDUCTOR LASER MODULE
(FR) DISPOSITIF A LASER A SEMICONDUCTEUR, MODULE LASER A SEMICONDUCTEUR, ET AMPLIFICATEUR A FIBRES OPTIQUES UTILISANT CE MODULE
Abstract: front page image
(EN)A semiconductor laser device having two active layer stripe structures. A cross section of one of the stripe structures includes an n−InP substrate (1), n−InP clad layer (2), a lower GRIN−SCH layer (3b), an active layer (4b), an upper GRIN−SCH layer (5b), a p−InP clad layer (6), and a p−InGaAsP contact layer (7) formed in this order. Moreover, a high reflection film (12) is arranged at the reflection side end surface and a low reflection film (13) is arranged at the emission side end surface. On the p−InGaAsP contact layer (7), a p−side electrode (8b) is arranged partly and a non−current poured region (14) is formed at the remaining area.
(FR)L'invention concerne un dispositif à laser à semiconducteur comportant deux structures en ruban à couche active. La section transversale de l'une des structures présente un substrat n-InP (1), une couche à revêtement n-InP (2), une couche GRIN-SCH inférieure (3b), une couche active (4b), une couche GRIN-SCH supérieure (5b), une couche à revêtement p-InP (6), et une couche de contact p-InGaAsP (7), dans cet ordre. Par ailleurs, un film à réflexion élevée (12) est disposé à la surface terminale côté réflexion, et un film à faible réflexion (13) est disposé à la surface terminale côté émission. On dispose dans une partie de la couche de contact p-InGaAsP (7) une électrode coté p (8b), et on dispose dans la partie restante une région non arrosée par le courant (14).
Designated States: JP, US.
European Patent Office (FR, GB).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)