WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2003004734) METHOD FOR THE PRODUCTION OF LOW DEFECT DENSITY SILICON
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2003/004734 International Application No.: PCT/US2001/044081
Publication Date: 16.01.2003 International Filing Date: 22.10.2001
Chapter 2 Demand Filed: 03.06.2002
IPC:
A61K 31/427 (2006.01) ,A61K 31/513 (2006.01) ,A61K 31/675 (2006.01) ,A61K 31/7008 (2006.01) ,A61K 31/704 (2006.01) ,C30B 15/00 (2006.01)
Applicants: MEMC ELECTRONIC MATERIALS, INC.[US/US]; P.O. Box 8 501 Pearl Drive St. Peters, MO 63376, US
Inventors: VORONKOV, Vladimir; IT
FALSTER, Robert, J.; US
BANAN, Mohsen; US
Agent: SCHUTH, Richard, A. ; Senniger, Powers, Leavitt & Roedel One Metropolitan Square Suite 1600 St. Louis, MO 63102, US
Priority Data:
09/871,25531.05.2001US
09/972,60805.10.2001US
60/245,61003.11.2000US
60/252,71522.11.2000US
Title (EN) METHOD FOR THE PRODUCTION OF LOW DEFECT DENSITY SILICON
(FR) PROCEDE DE PRODUCTION D'UN SILICIUM A FAIBLE DENSITE DE DEFAUTS
Abstract: front page image
(EN) A process for the preparation of a silicon single ingot in accordance with the Czochralski method. The process for growing the single crystal silicon ingot comprises controlling (i) a growth velocity, v, (ii) an average axial temperature gradient, G0, during the growth of a constant diameter portion of the crystal over a temperature range from solidification to a temperature of no less than about 1325 C to initially produce in the constant diameter portion of the ingot a series of predominant intrinsic point defects including vacancy dominated regions and silicon self interstitial dominated regions, alternating along the axis, and cooling the regions from the temperature of solidification at a rate which allows silicon self-interstitial atoms to diffuse radially to the lateral surface and to diffuse axially to vacancy dominated regions to reduce the concentration intrinsic point defects in each region.
(FR) L'invention concerne un procédé de préparation d'un lingot de silicium monocristallin selon le procédé de Czochralski. Ce procédé de formation d'un lingot de silicium monocristallin consiste à réguler (i) une vitesse de croissance, v, et (ii) un gradient de température axiale moyen, G0, pendant la croissance d'une partie à diamètre constant du cristal dans une plage de températures comprises entre la température de solidification et une température supérieure ou égale à environ 1325 °C, d'où la production initiale, dans la partie à diamètre constant dudit lingot, d'une série de défauts ponctuels intrinsèques prédominants comprenant des zones à prédominance des lacunes et des zones à prédominance des auto-interstitiels de silicium, en alternance le long d'un axe. Ledit procédé consiste ensuite à refroidir ces zones à partir de la température de solidification à une vitesse permettant aux atomes auto-interstitiels de silicium de se diffuser radialement vers la surface latérale et de se diffuser axialement vers les zones dominées par les lacunes, d'où une réduction des défauts ponctuels intrinsèques de concentration dans chaque zone.
Designated States: CN, JP, KR, SG
European Patent Office (EPO) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)