(EN) A method of forming a metal-insulator-metal capacitor (see e.g., Figure 1) in a back end of line structure comprises forming a metal bottom plate 16 in a first metalization layer 14, sputter depositing a high dielectric constant material 18 over the bottom plate 16, and forming a metal top plate 20 in a second metalization layer 22. The metal bottom plate 16 and metal top plate 22 are formed in consecutive metalization layers 14 and 22 in which interconnect structures 12 and 24 are also formed.
(FR) L'invention concerne un procédé de formation d'un condensateur métal-isolant-métal (MIM, par exemple, figure 1) situé dans une extrémité arrière d'une structure de ligne, consistant à former une plaque de fond métallique (16) dans une première couche de métallisation (14), à effectuer une pulvérisation cathodique d'un matériau à haute constante diélectrique (18) sur la plaque de fond (16), et former une plaque supérieure métallique (20) dans une seconde couche de métallisation (22). La plaque de fond métallique (16) et la plaque supérieure métallique (22) sont formées en couches de métallisation consécutives (14, 22), dans lesquelles des structures d'interconnexion (12 et 24) sont également formées.