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1. (WO2003003435) METHOD FOR IMPROVING INVERSION LAYER MOBILITY IN A SILICON CARBIDE METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2003/003435    International Application No.:    PCT/IB2002/002299
Publication Date: 09.01.2003 International Filing Date: 14.06.2002
IPC:
H01L 21/04 (2006.01)
Applicants: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1, NL-5621 BA Eindhoven (NL)
Inventors: EGLOFF, Richard; (NL).
MUKHERJEE, Satyendranath; (NL).
ALOK, Dev; (NL).
ARNOLD, Emil; (NL)
Agent: DUIJVESTIJN, Adrianus, J.; Internationaal Octrooibureau B.V., Prof. Holstlaan 6, NL-5656 AA Eindhoven (NL)
Priority Data:
09/894,089 28.06.2001 US
Title (EN) METHOD FOR IMPROVING INVERSION LAYER MOBILITY IN A SILICON CARBIDE METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT TRANSISTOR
(FR) PROCEDE PERMETTANT D'AMELIORER LA MOBILITE D'UNE COUCHE D'INVERSION DANS UN SIC MOSFET
Abstract: front page image
(EN)A method for improving inversion layer mobility in a silicon carbide metal-oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET) is provided. Specifically, the present invention provides a method for applying an oxide layer to a silicon carbide substrate so that the oxide-substrate interface of the resulting SiC MOSFET is improved. The method includes forming the oxide layer in the presence of metallic impurities.
(FR)L'invention concerne un procédé permettant d'améliorer la mobilité d'une couche d'inversion dans un transistor à effet de champ de semi-conducteur d'oxyde de métal (MOSFET) au carbure de silicium (SiC). L'invention concerne plus spécifiquement un procédé permettant d'appliquer une couche d'oxyde sur un substrat de carbure de silicium de sorte que l'interface oxyde-substrat du SiC MOSFET résultant est améliorée. Ledit procédé consiste à former une couche d'oxyde en présence d'impuretés métalliques.
Designated States: CN, JP, KR.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)