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1. (WO2003003434) METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR THIN FILM AND METHOD OF PRODUCING SOLAR CELL
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2003/003434    International Application No.:    PCT/JP2002/005718
Publication Date: 09.01.2003 International Filing Date: 10.06.2002
IPC:
H01L 31/18 (2006.01)
Applicants: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD. [JP/JP]; 4-2, Marunouchi 1-chome Chiyoda-ku, Tokyo 100-0005 (JP) (For All Designated States Except US).
ABE, Takao [JP/JP]; (JP) (For US Only).
YOKOKAWA, Isao [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: ABE, Takao; (JP).
YOKOKAWA, Isao; (JP)
Agent: SUGAWARA, Seirin; Sakae Yamakichi Bldg. 9-30, Sakae 2-chome, Naka-ku Nagoya-shi, Aichi 460-0008 (JP)
Priority Data:
2001-198014 29.06.2001 JP
Title (EN) METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR THIN FILM AND METHOD OF PRODUCING SOLAR CELL
(FR) PROCEDE POUR PRODUIRE UN FILM FIN SEMI-CONDUCTEUR ET UNE PILE SOLAIRE
Abstract: front page image
(EN)After a hydrogen high−concentration layer having a concentration peak at a position at least 5 μm deep from a main surface is formed in a depth−direction hydrogen concentration profile by implanting hydrogen minus ions into a semiconductor crystal substrate from the main surface thereof, a semiconductor thin film is separated from the semiconductor crystal substrate in the hydrogen high−concentration layer. Accordingly, a method of producing a semiconductor thin film is provided that can produce with high yield and efficiency a semiconductor thin film which is thicker than a lower−limit value by a conventional smart−cut method and therefore is suitable for a solar cell or the like.
(FR)Une couche à haute concentration d'hydrogène, dont la pointe de concentration est au moins à 5 $g(m)m de profondeur d'une surface principale, est formée dans un profilé à concentration d'hydrogène dans le sens de la profondeur par l'implantation d'ions d'hydrogène négatifs dans un substrat de cristal semi-conducteur à partir de la surface principale de celui-ci. Puis un film fin semi-conducteur est séparé du substrat de cristal semi-conducteur dans la couche à haute concentration d'hydrogène. La présente invention porte également sur un procédé pour produire un film fin semi-conducteur à rendement élevé et de manière très efficace, l'épaisseur de ce film dépassant une valeur limite inférieure selon un procédé classique Smart-Cut. Ainsi, ce film est adapté à la fabrication d'une pile solaire ou d'un élément analogue.
Designated States: KR, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)