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1. (WO2003003432) VAPOR GROWTH METHOD AND VAPOR GROWTH DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2003/003432    International Application No.:    PCT/JP2002/006155
Publication Date: 09.01.2003 International Filing Date: 20.06.2002
IPC:
C30B 25/02 (2006.01), C30B 25/10 (2006.01), C30B 25/16 (2006.01)
Applicants: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD. [JP/JP]; 4-2, Marunouchi 1-chome Chiyoda-ku, Tokyo 100-0005 (JP) (For All Designated States Except US).
KASHINO, Hisashi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: KASHINO, Hisashi; (JP)
Agent: ARAFUNE, Hiroshi; 5F, Nikko Kagurazaka Bldg., 18, Iwatocho Shinjuku-ku, Tokyo 162-0832 (JP)
Priority Data:
2001-196768 28.06.2001 JP
Title (EN) VAPOR GROWTH METHOD AND VAPOR GROWTH DEVICE
(FR) PROCEDE ET DISPOSITIF DE CROISSANCE EN PHASE VAPEUR
Abstract: front page image
(EN)A vapor growth method for vapor−growing a semiconductor single crystal thin film on the main surface of a semiconductor single crystal substrate (1) while introducing a gas into a reaction container (11), characterized in that a heating output control in a gas introduced region (R1) is performed based on a temperature detected in a region other than the region (R1) in the reaction container (11).
(FR)L'invention concerne un procédé de croissance en phase vapeur destiné à faire croître une couche mince de cristal unique à semi-conducteur sur la surface principale d'un substrat de cristal unique à semi-conducteur (1) tout en introduisant un gaz dans un contenant de réaction (11), caractérisé en ce que la commande de sortie de chaleur dans une zone où le gaz a été introduit (R1) est réalisée en fonction d'une température détectée dans cette zone différente de celle (R1) se trouvant dans le contenant de réaction (11).
Designated States: JP, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)