(EN) This invention relates to the structure and design of a non-volatile memory, in particular to such memories embedded or integrated into integrated circuits (ICs). To solve the problem of excessive test times for such memories, especially the testing of the associated decoders, a modification of a predetermined, memory-size-dependant number of nonvolatile memory cells turns them into ROM cells with a fixed content pattern. Since these additional ROM cells are just modified non-volatile cells, they differ only slightly from the latter. Thus, they do not require much effort during manufacturing and, even more important, use only small additional space on the memory chip or the integrated circuit, but provide significant advantage for the testing. When using pairs of essentially symmetrical non-volatile memory cells, each pair having a common bit line, the removal or interruption of this bitline contact may serve to impress a fixed value, e.g. a '0', into this pair and vice versa. During test, a simple and therefore only minimal time requiring pattern, preferably a checkerboard pattern, is written into and read from the non-volatile memory, allowing a quick determination of the decoders' correct function. This allows a complete test of the memory's decoders with only minimal time.
(FR) L'invention concerne la structure et la conception d'une mémoire non volatile, en particulier de mémoires incorporées ou intégrées dans des circuits intégrés. L'objectif de cette invention est de résoudre le problème des temps d'essai excessifs pour ce type de mémoires, en particulier en matière d'essai de décodeurs associés. A cet effet, un nombre prédéterminé de cellules de mémoire non volatile, qui dépend de la taille de la mémoire, sont modifiées en cellules de mémoire ROM à modèle de contenu fixe. Ces cellules ROM supplémentaires étant simplement des cellules non volatiles modifiées, elles ne diffèrent que légèrement de ces dernières. Ainsi, elles ne nécessitent pas beaucoup d'efforts en matière de fabrication et, ce qui est encore plus important, n'occupent qu'un faible espace supplémentaire sur la puce mémoire ou le circuit intégré, tout en fournissant un avantage significatif en matière d'essai. Lorsque des paires de cellules de mémoire non volatile sensiblement asymétriques sont utilisées, chaque paire présentant une ligne binaire commune, le retrait ou l'interruption de ce contact au niveau de la ligne binaire peut servir à inscrire une valeur fixe, p. ex. un '0', dans cette paire et vice versa. Au cours de l'essai, un motif simple et ne nécessitant ainsi qu'une durée minimale, de préférence un motif en damier, est écrit dans la mémoire non volatile et lu à partir de cette dernière, ce qui permet de déterminer rapidement le bon fonctionnement des décodeurs. On peut ainsi réaliser un essai complet des décodeurs de mémoire pendant une durée minimale.