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1. (WO2003001658) CONTROLLED RESISTIVITY BORON NITRIDE ELECTROSTATIC CHUCK APPARATUS FOR RETAINING A SEMICONDUCTOR WAFER AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2003/001658    International Application No.:    PCT/US2002/019342
Publication Date: 03.01.2003 International Filing Date: 18.06.2002
IPC:
H02N 13/00 (2006.01)
Applicants: APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, CA 95054 (US)
Inventors: PARKHE, Vijay, D.; (US).
DESHPANDEY, Chandra, V.; (US)
Agent: PATTERSON, B., Todd; Moser, Patterson & Sheridan, LLP 3040 Post Oak Blvd. Suite 1500 Houston, TX 77056 (US)
Priority Data:
09/885,646 20.06.2001 US
Title (EN) CONTROLLED RESISTIVITY BORON NITRIDE ELECTROSTATIC CHUCK APPARATUS FOR RETAINING A SEMICONDUCTOR WAFER AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
(FR) DISPOSITIF DE SUPPORT ELECTROSTATIQUE EN NITRURE DE BORE A RESISTIVITE REGLEE POUR RETENIR UNE TRANCHE DE SEMI-CONDUCTEUR ET PROCEDE DE FABRICATION DE CELUI-CI
Abstract: front page image
(EN)Apparatus (Figure 1) for retaining a workpiece in a semiconductor processing chamber (100) and method for fabricating the same. In one embodiment, a method for fabricating the apparatus includes providing a controlled resistivity boron nitride (CRBN) plate. A conductive layer is disposed on a portion of a lower surface of the CRBN plate to form at least one chucking electrode (116). A layer of boron nitride powder is disposed on the conductive layer and the lower surface of the CRBN plate. The CRBN plate, the conductive layer, and the boron nitride powder are hot pressed together to form the apparatus. In a second embodiment, a conductive electrode layer is deposited on a portion of a lower surface of the CRBN plate. A layer of pyrolytic boron nitride is deposited on the conductive layer and the lower surface of the CRBN plate to form the apparatus.
(FR)Dispositif (figure 1) servant à retenir une pièce à travailler dans une chambre (100) de traitement de semi-conducteurs et procédé de fabrication de celui-ci. Dans une forme de réalisation, l'invention concerne un procédé de fabrication du dispositif, qui comporte les étapes consistant à : prévoir une plaque de nitrure de bore à résistivité réglée (CRBN) ; déposer une couche conductrice sur une partie de la surface inférieure de la plaque CRBN pour former au moins une électrode (116) de support ; déposer une couche de poudre de nitrure de bore sur la couche conductrice et sur la surface inférieure de la plaque CRBN ; presser à chaud la plaque CRBN, la couche conductrice et la poudre de nitrure de bore pour former le dispositif. Dans une deuxième forme de réalisation, une couche d'électrode conductrice est déposée sur une partie de la surface inférieure de la plaque CRBN ; une couche de nitrure de bore pyrolytique est déposée sur la couche conductrice et sur la surface inférieure de la plaque CRBN pour former le dispositif.
Designated States: JP.
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)