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1. (WO2003001605) SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2003/001605    International Application No.:    PCT/JP2002/005992
Publication Date: 03.01.2003 International Filing Date: 17.06.2002
IPC:
H01L 21/28 (2006.01), H01L 29/51 (2006.01)
Applicants: MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma Kadoma-shi, Osaka 571-8501 (JP)
Inventors: HARADA, Yoshinao; (JP)
Agent: MAEDA, Hiroshi; Taihei Bldg., 4-8, Utsubohonmachi 1-chome, Nishi-ku Osaka-shi, Osaka 550-0004 (JP)
Priority Data:
60/299,478 21.06.2001 US
2001-395734 27.12.2001 JP
10/122,366 16.04.2002 US
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD
(FR) DISPOSITIF DE SEMI-CONDUCTEURS ET PROCEDE DE FABRICATION ASSOCIE
Abstract: front page image
(EN)A semiconductor device has a gate electrode (12) above a silicon substrate (10) with a gate insulation film (11) in between. The gate insulation film (11) has a high−permittivity film (11a) consisting of a silicon−containing hafnium oxide film and a lower barrier film (11b) underlying the high−permittivity film (11a) and consisting of hafnium−containing silicon oxynitride film.
(FR)Le dispositif de semi-conducteurs de cette invention possède une électrode grille (12) placée sur un substrat de silicium (10), avec une couche mince d'isolation de grille (11) placée entre l'électrode et le substrat. La couche mince d'isolation de grille (11) comprend une couche mince à permittivité élevée (11a) consistant en une couche mince d'oxyde d'hafnium contenant du silicium, et une couche mince barrière inférieure (11b) sous-jacente à la couche mince à permittivité élevée (11a) et consistant en une couche mince d'oxynitrure de silicium contenant du hafnium.
Designated States: CN, KR.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)