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1. (WO2003001580) THERMAL OXIDATION PROCESS CONTROL BY CONTROLLING OXIDATION AGENT PARTIAL PRESSURE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2003/001580    International Application No.:    PCT/EP2002/006908
Publication Date: 03.01.2003 International Filing Date: 21.06.2002
Chapter 2 Demand Filed:    10.01.2003    
IPC:
C23C 8/10 (2006.01), C30B 33/00 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01)
Applicants: INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Str. 53, 81669 München (DE) (For All Designated States Except US).
TOGNETTI, Marcel [NL/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: TOGNETTI, Marcel; (DE)
Agent: KOTTMANN, Dieter; Müller, Hoffmann & Partner, Patentanwälte, Innere Wiener Str. 17, 81667 München (DE)
Priority Data:
01115213.9 22.06.2001 EP
Title (EN) THERMAL OXIDATION PROCESS CONTROL BY CONTROLLING OXIDATION AGENT PARTIAL PRESSURE
(FR) REGULATION DU PROCESSUS D'OXYDATION THERMIQUE PAR REGULATION DE LA PRESSION PARTIELLE DE L'AGENT OXYDANT
Abstract: front page image
(EN)The invention relates to a method for generating an oxide layer on a substrate, e.g. a silicon wafer used for the manufacturing of microchips. The substrate is placed in an oven and an oxidising medium comprising oxygen is fed to the oven. To control the growth of the oxide layer the oxygen partial pressure in the exhaust is determined and depending on the measured value the feed of the components of the oxidising mediums are adjusted, so that the oxygen partial pressure in the oxygen gases is kept constant. The method allows the reproducible formation of oxide layers with a defined layer thickness.
(FR)La présente invention concerne un procédé permettant de produire une couche d'oxyde sur un substrat, par exemple sur une tranche de silicium utilisée dans la fabrication de micropuces. On place le substrat dans un four dans lequel on introduit un milieu oxydant contenant de l'oxygène. Afin de réguler la croissance de la couche d'oxyde, on détermine la pression partielle de l'oxygène dans la conduite d'échappement et en fonction de la valeur mesurée, on ajuste la distribution des composants des milieux oxydants de façon à maintenir à un niveau constant la pression partielle de l'oxygène dans les gaz d'échappement. Le procédé de l'invention permet la formation reproductible de couches d'oxydes d'une épaisseur définie.
Designated States: JP, KR, US.
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)