WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2003001573) APPARATUS FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR STRUCTURES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2003/001573    International Application No.:    PCT/US2001/050329
Publication Date: 03.01.2003 International Filing Date: 20.12.2001
IPC:
C30B 23/02 (2006.01)
Applicants: MOTOROLA, INC. [US/US]; 1303 East Algonquin Road Schaumburg, IL 60196 (US)
Inventors: DROOPAD, Ravindranath; (US).
MASSIE, Scott, T.; (US)
Agent: KOCH, William, E.; Motorola Labs 3102 North 56th Street AZ11/56-238 Phoenix, AZ 85018-6606 (US)
Priority Data:
09/884,981 21.06.2001 US
Title (EN) APPARATUS FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR STRUCTURES
(FR) APPAREIL PERMETTANT DE FABRIQUER DES STRUCTURES DE SEMI-CONDUCTEURS
Abstract: front page image
(EN)An apparatus for forming a semiconductor structure is provided. The apparatus includes a chamber (102) and a plurality of first material sources (106-110) positioned at least partially within the chamber. The plurality of first material sources are configured to provide materials for the formation of a monocrystalline accommodating buffer layer (204) on a substrate (202). The plurality of first material sources includes an oxygen source (116). At least one second material source (112-114) is also positioned at least partially within the chamber and is configured to provide material for the formation of a monocrystalline oxygen-doped material layer (206) overlying the monocrystalline accommodating buffer layer. The apparatus also includes an oxygen-adjustment mechanism (132) configured to adjust the partial pressure of oxygen in the chamber.
(FR)L'invention concerne un appareil permettant de former une structure de semi-conducteur. Cet appareil comporte une chambre (102) ainsi qu'une pluralité de premières sources de matière (106-110) disposées au moins partiellement à l'intérieur de ladite chambre. Cette pluralité de premières sources de matière sont configurées pour fournir des matières permettant la formation d'une couche tampon d'accueil monocristalline (204) sur un substrat (202). Parmi ladite pluralité de premières sources de matière figure une source d'oxygène (116). Au moins une seconde source de matière (112-114) est également placée au moins partiellement à l'intérieur de ladite chambre et est configurée pour fournir de la matière permettant la formation d'une couche de matière monocristalline dopée à l'oxygène (206) au-dessus de la couche tampon d'accueil monocristalline. L'appareil comporte en outre un mécanisme de régulation de l'oxygène (132) configuré pour réguler la pression partielle de l'oxygène dans la chambre.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)