WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2003001531) PROPORTIONAL TO TEMPERATURE VOLTAGE GENERATOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2003/001531    International Application No.:    PCT/US2002/019546
Publication Date: 03.01.2003 International Filing Date: 20.06.2002
Chapter 2 Demand Filed:    22.01.2003    
IPC:
G11C 5/14 (2006.01), G11C 7/14 (2006.01)
Applicants: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP. [US/US]; 3901 N. First Street, San Jose, CA 95134 (US)
Inventors: FISCUS, Timothy, E.; (US)
Agent: CHRISTOPHER, Maiorana, P.; Christopher P. Maiorana, P.C., 24025 Greater Mack, Suite 200, St. Clair Shores, MI 48080 (US)
Priority Data:
09/885,897 20.06.2001 US
Title (EN) PROPORTIONAL TO TEMPERATURE VOLTAGE GENERATOR
(FR) GENERATEUR DE TENSION PROPORTIONNELLE A LA TEMPERATURE
Abstract: front page image
(EN)A biasing circuit (100) comprising a first circuit (102) and a second circuit (104). The first circuit may be configured to generate a first bias signal (VBIAS) and a second bias signal (VREF). The second bias signal may be defined by a threshold voltage (118) and a first resistance (R). The second circuit may be configured to generate a third bias signal (PCTR) in response to the first and the second bias signals and a second resistance (R1). The third bias signal may have a magnitude that is linearly proportional to absolute temperature (PTAT) and be configured to vary a refresh rate of a memory cell in response to changes in temperature.
(FR)La présente invention concerne un circuit de polarisation (100) comprenant un premier circuit (102) et un second circuit (104). Le premier circuit peut être conçu pour produire un premier signal de polarisation (VBIAS) et un deuxième signal de polarisation (VREF). Le second circuit peut être défini par une tension seuil (118) et une première résistance (R) et peut être conçu pour produire un troisième signal de polarisation (PCTR) en réponse aux premiers et deuxièmes signaux de polarisation et à une seconde résistance (R1). Le troisième signal de polarisation peut présenter une amplitude qui est linéairement proportionnelle à la température absolue (PTAT) et peut être conçu pour modifier une fréquence de rafraîchissement d'une cellule mémoire en réponse à des variations de température.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)