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1. (WO2003001282) COMPOUND OPTICAL MODULATOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2003/001282    International Application No.:    PCT/IL2001/000580
Publication Date: 03.01.2003 International Filing Date: 26.06.2001
IPC:
G02F 1/017 (2006.01)
Applicants: 3DV SYSTEMS, LTD. [IL/IL]; P.O. Box 249 20692 Yokneam (IL) (For All Designated States Except US).
MANASSEN, Amnon [IL/IL]; (IL) (For US Only).
SANDER, Avner [IL/IL]; (IL) (For US Only)
Inventors: MANASSEN, Amnon; (IL).
SANDER, Avner; (IL)
Agent: FENSTER, Paul; Fenster & Company, Intellectual Property 2002 Ltd. P. O. Box 10256 49002 Petach Tikva (IL)
Priority Data:
Title (EN) COMPOUND OPTICAL MODULATOR
(FR) MODULATEUR OPTIQUE COMPOSE
Abstract: front page image
(EN)There is therefore provided in accordance with an embodiment of the present invention a modulator for modulating light comprising: a quantum well structure (QWS), comprising narrow-bandgap semiconductor layers interleaved with wide-bandgap semiconductor layers which QWS has an operating band of wavelengths for which transmittance for light is controllable by an electric field generated in the QWS; a configuration of electrodes electrifiable to generate an electric field perpendicular to the semiconductor layers of the QWS in each of a plurality of localized non-overlapping voxels of the QWS independent of an electric field in any of the other voxels; a different optical filter coupled to each of at least two of the voxels, each different filter transmitting light in a different sub-band of the operating band of the QWS and being substantially opaque to light having a wavelength in the operating band that is outside of the sub-band; and a power supply controllable to apply voltage to the configuration of electrodes so as to generate the electric field.
(FR)Dans un mode de réalisation, l'invention concerne un modulateur qui permet de moduler la lumière. Ce modulateur comprend : une structure à puits quantique (QWS) constituée de couches semi-conductrices à bande interdite étroite entrelacées avec des couches semi-conductrices à large bande interdite, cette structure à puits quantique possédant une bande fonctionnelle de longueurs d'onde pour laquelle la translucidité lumineuse peut être réglée au moyen d'un champ électrique généré dans la structure à puits quantique ; une configuration d'électrodes électrisable pour générer un champ électrique perpendiculaire aux couches semi-conductrices de la structure à puits quantique dans une pluralité de voxels sans recouvrement localisés de la structure à puits quantique qui sont indépendants d'un champ électrique dans n'importe lequel des autres voxels ; un filtre optique différent couplé à au moins deux des voxels, chaque filtre transmettant la lumière dans une sous-bande différente de la bande fonctionnelle de la structure à puits quantique et étant sensiblement opaque à la lumière qui possède une longueur d'ondes dans la bande fonctionnelle qui se trouve à l'extérieur de la sous-bande ; enfin, un bloc d'alimentation réglable pour appliquer une tension à la configuration d'électrodes de façon à générer le champ électrique.
Designated States: CA, IL, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)