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1. (WO2002080255) ELECTROSTATICALLY ACTUATED MICRO-ELECTRO-MECHANICAL DEVICES AND METHOD OF MANUFACTURE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau

Pub. No.: WO/2002/080255 International Application No.: PCT/US2002/007669
Publication Date: 10.10.2002 International Filing Date: 15.03.2002
IPC:
B81B 3/00 (2006.01) ,G02B 26/08 (2006.01)
B PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
81
MICRO-STRUCTURAL TECHNOLOGY
B
MICRO-STRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICRO-MECHANICAL DEVICES
3
Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
G PHYSICS
02
OPTICS
B
OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS
26
Optical devices or arrangements using movable or deformable optical elements for controlling the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light, e.g. switching, gating, modulating
08
for controlling the direction of light
Applicants:
CORNING INTELLISENSE CORPORATION [US/US]; 36 Jonspin Road Wilmington, MA 01887, US (AllExceptUS)
ANDOSCA, Robert, G. [US/US]; US (UsOnly)
Inventors:
ANDOSCA, Robert, G.; US
Agent:
VALLABH, Rajesh ; Hale and Dorr LLP 60 State Street Boston, MA 02109, US
Priority Data:
60/276,31916.03.2001US
Title (EN) ELECTROSTATICALLY ACTUATED MICRO-ELECTRO-MECHANICAL DEVICES AND METHOD OF MANUFACTURE
(FR) DISPOSITIFS MICROELECTROMECANIQUES A COMMANDE ELECTROSTATIQUE ET LEUR PROCEDE DE FABRICATION
Abstract:
(EN) A method is provided for fabricating electrodes for an electrostatically actuated MEMS device. The method includes patterning a wafer to define trenches, with each trench having an area selected in accordance with a desired depth; etching the wafer to form the trenches with the etch rate being varied in accordance with the trench area such that the trenches have depths determined by their respective areas (132); depositing a conductive material in the trenches to form the electrodes; and removing portions of the wafer surrounding the electrodes. A method of fabrication an electrostatically actuated MEMS mirror device is provided. The mirror structure includes a mirror and a suspension mechanism for supporting the mirror. An electrostatically actuated MEMS mirror device is formed. The device includes a middle wafer having raised and inclined steering electrodes; a top wafer including a mirror structure; and a handle wafer providing contacts for the electrodes.
(FR) L'invention porte sur un procédé de fabrication d'électrodes pour un dispositif MEMS (système microélectromécanique) à commande électrostatique consistant à: dessiner une tranche de silicium pour y tracer des tranchées présentant chacune une surface liée à la profondeur désirée; attaquer chimiquement la tranche pour former les tranchées avec une vitesse d'attaque variant en fonction de la surface de la tranchée de manière à ce qu'elles présentent des profondeurs déterminées par leurs surfaces respectives (132); déposer un matériau conducteur dans les tranchées pour former les électrodes; et éliminer les parties de la tranche entourant les électrodes. L'invention porte également sur un procédé de fabrication d'un miroir MEMS à commande électrostatique comportant le miroir proprement dit et son mécanisme de suspension; sur le miroir ainsi formé consistant en une tranche centrale présentant des électrodes de commande droites et obliques; une tranche supérieure comportant une structure de miroir; et sur une tranche poignée assurant les contacts avec les électrodes.
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Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)
Also published as:
AU2002338253