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1. (WO2002054450) METHOD OF PATTERNING A MASK ON THE SURFACE OF A SUBSTRATE AND PRODUCT MANUFACTURED THEREBY
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Pub. No.: WO/2002/054450 International Application No.: PCT/US2002/000095
Publication Date: 11.07.2002 International Filing Date: 04.01.2002
Chapter 2 Demand Filed: 01.08.2002
IPC:
C12Q 1/68 (2006.01) ,G01N 15/12 (2006.01) ,G01N 27/414 (2006.01)
C CHEMISTRY; METALLURGY
12
BIOCHEMISTRY; BEER; SPIRITS; WINE; VINEGAR; MICROBIOLOGY; ENZYMOLOGY; MUTATION OR GENETIC ENGINEERING
Q
MEASURING OR TESTING PROCESSES INVOLVING ENZYMES OR MICRO-ORGANISMS; COMPOSITIONS OR TEST PAPERS THEREFOR; PROCESSES OF PREPARING SUCH COMPOSITIONS; CONDITION-RESPONSIVE CONTROL IN MICROBIOLOGICAL OR ENZYMOLOGICAL PROCESSES
1
Measuring or testing processes involving enzymes or micro-organisms; Compositions therefor; Processes of preparing such compositions
68
involving nucleic acids
G PHYSICS
01
MEASURING; TESTING
N
INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
15
Investigating characteristics of particles; Investigating permeability, pore-volume or surface-area of porous materials
10
Investigating individual particles
12
Coulter-counters
G PHYSICS
01
MEASURING; TESTING
N
INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
27
Investigating or analysing materials by the use of electric, electro-chemical, or magnetic means
26
by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
403
Cells and electrode assemblies
414
Ion-sensitive or chemical field-effect transistors, i.e. ISFETS or CHEMFETS
Applicants:
VAN ZEGHBROECK, Bart [BE/US]; US (UsOnly)
SAUER, Jon [US/US]; US (UsOnly)
EAGLE RESEARCH & DEVELOPMENT, LLC [US/US]; 1100 West 120th Avenue Suite 400 Broomfield, CO 80021, US (AllExceptUS)
Inventors:
VAN ZEGHBROECK, Bart; US
SAUER, Jon; US
Agent:
HOLMES, John ; Roylance, Abrams, Berdo & Goodman, L.L.P. 1300 19th Street, N.W. Suite 600 Washington, DC 20036, US
Priority Data:
60/259,58404.01.2001US
Title (EN) METHOD OF PATTERNING A MASK ON THE SURFACE OF A SUBSTRATE AND PRODUCT MANUFACTURED THEREBY
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN MOTIF SUR UN MASQUE À LA SURFACE D'UN OBJET ET PRODUIT MANUFACTURÉ AINSI OBTENU
Abstract:
(EN) A system and method for forming one or more nanometer sized openings (118) in a detecting region of an object, such as a semiconductor device (102) that is used for identifying the individual mers of long-chain polymers, such as carbohydrates and proteins, as well as individual bases of deoxyribonucleic acid (DNA) or ribonucleic acid (RNA), to thus enable sequencing of the strand to be performed. The system and method employ the operations of positioning a mask pattern including a plurality of mask lines at a first orientation with respect to the mask (204) on the semiconductor (202), and imposing the mask pattern on the mask (204) to create first mask lines extending in a first direction along the mask (204). The system and method then move the mask pattern to a second orientation with respect to the mask (204) on the semiconductor, and impose the mask pattern on the mask (204) to create second mask lines extending in a second direction along the mask (204) which is transverse to the first direction and overlapping the first mask lines, such that said surface of said object is exposed at areas (200) of said mask (204) between said first and second mask lines. The system and method further remove portions of the semiconductor (202) at the removed portions of the mask (204) to form the openings (118) in the semiconductor (202).
(FR) La présente invention concerne un système et un procédé de réalisation d'au moins une ouverture nanométrique (118) dans la zone de détection d'un objet tel qu'un dispositif à semi-conducteurs (102) utilisé pour identifier les différents motifs monomères de polymères à chaîne longue tels que les glucides et les protéines, ainsi que les différentes bases des acides désoxyribonucléiques (ADN) et ribonucléiques (ARN), ce qui permet le séquençage du brin. A cet effet, on commence par positionner un tracé de masque comportant une pluralité de lignes de masque selon une première orientation par rapport à un masque (204) sur un semi-conducteur (2025), puis on appose le tracé de masque sur le masque (204) de façon à créer de premières lignes de masque se présentant selon un premier sens dans la longueur du masque (204). On amène ensuite le tracé de masque selon une deuxième orientation par rapport au masque (204) sur le semi-conducteur, et on applique sur le masque (204) le tracé de masque de façon à créer des deuxièmes lignes de masque se présentant dans un deuxième sens dans la longueur du masque (204), en l'occurrence perpendiculairement et en chevauchement par rapport aux premières lignes de masque, de façon que la surface considérée de l'objet concerné soit apparente en des zones (200) du masque (204) entre lesdites premières et deuxièmes lignes de masque. Il ne reste plus qu'à éliminer des parties de semi-conducteur (202) aux endroits où le masque a été dégarni (204) de façon à former les orifices (118) dans le semi-conducteur (202).
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Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)