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1. (WO2002033713) MAGNETIC ELEMENT, MEMORY DEVICE AND WRITE HEAD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2002/033713    International Application No.:    PCT/IB2001/001756
Publication Date: 25.04.2002 International Filing Date: 26.09.2001
Chapter 2 Demand Filed:    02.05.2002    
IPC:
G11B 5/00 (2006.01), G11B 5/127 (2006.01), G11B 5/245 (2006.01), G11B 5/49 (2006.01), G11C 11/16 (2006.01), H01F 10/32 (2006.01)
Applicants: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road, Armonk, NY 10504 (US) (AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BE, BF, BG, BJ, BR, BY, BZ, CA, CF, CG, CH, CI, CM, CN, CO, CR, CU, CY, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, FR, GA, GB, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GR, GW, HR, HU, ID, IE, IL, IN, IS, IT, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MC, MD, MG, MK, ML, MN, MR, MW, MX, MZ, NE, NL, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, SN, SZ, TD, TG, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW only).
ALLENSPACH, Rolf [CH/CH]; (CH) (For US Only).
BEDNORZ, Georg [DE/CH]; (CH) (For US Only).
MEIJER, Ingmar [NL/CH]; (CH) (For US Only)
Inventors: ALLENSPACH, Rolf; (CH).
BEDNORZ, Georg; (CH).
MEIJER, Ingmar; (CH)
Agent: WILLIAMS, Julian, David; International Business Machines Corporation, Saeumerstrasse 4, CH-8803 Rueschlikon (CH)
Priority Data:
00810955.5 17.10.2000 EP
Title (EN) MAGNETIC ELEMENT, MEMORY DEVICE AND WRITE HEAD
(FR) ELEMENT MAGNETIQUE, DISPOSITIF DE MEMOIRE, ET TETE D'ECRITURE
Abstract: front page image
(EN)A ferromagnetic pinned layer (1) kept at a fixed magnetic orientation by a pinning layer (4) is separated from a ferromagnetic free layer (3) by a Mott insulator coupling layer (2). A controllable voltage source (5) is connected between the pinned layer (1) and the free layer (3). A sublayer of the coupling layer (2) whose width (d) increases with the voltage is converted to an electrically conducting and magnetically coupling metallic state. The magnetic exchange field acting on the free layer (3) which is controlled by the applied voltage via the width (d) of the electrically conducting sublayer of the coupling layer (2) can be used to switch the free layer (3) between states of parallel and antiparallel orientations with respect to the magnetic orientation of the pinned layer (1). This is used in memory cells and in a write head.
(FR)Une couche fixée (1) ferromagnétique maintenue selon une orientation magnétique fixe à l'aide d'une couche de fixation (4) est séparée d'une couche libre (3) ferromagnétique par une couche de couplage (2) d'isolateur Mot, une source de tension (5) réglable étant connectée entre ladite couche fixée (1) et ladite couche libre (3). Une sous-couche de la couche de couplage (2) dont la largeur (d) augmente avec la tension est convertie en un état métallique de couplage magnétique et de conduction électrique. Le champ d'échange magnétique agissant sur la couche libre (3) qui est commandée par la tension appliquée via la largeur (d) de la sous-couche de la couche de couplage (2) électroconductrice peut être utilisé pour commuter la couche libre (3) entre des états d'orientation of parallèle et antiparallèle par rapport à l'orientation magnétique de la couche fixée (1). Ces états sont utilisés dans des cellules de mémoire et dans une tête d'écriture.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)