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1. (WO2002033544) METHOD FOR OPTIMIZING THE CHARACTERISTICS OF INTEGRATED CIRCUITS COMPONENTS FROM CIRCUIT SPEFICICATIONS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2002/033544    International Application No.:    PCT/US2001/032424
Publication Date: 25.04.2002 International Filing Date: 16.10.2001
IPC:
G06F 17/50 (2006.01)
Applicants: PDF SOLUTIONS, INCORPORATED [US/US]; 333 West San Carlos Suite 700 San Jose, CA 95110 (US) (For All Designated States Except US).
SAXENA, Sharad [--/US]; (US) (For US Only).
SHIBKOV, Andrei [--/US]; (US) (For US Only).
McNAMARA, Patrick, D. [--/US]; (US) (For US Only).
GUARDIANI, Carlo [--/US]; (US) (For US Only)
Inventors: SAXENA, Sharad; (US).
SHIBKOV, Andrei; (US).
McNAMARA, Patrick, D.; (US).
GUARDIANI, Carlo; (US)
Agent: KOFFS, Steven, E.; Duane, Morris & Heckscher LLP One Liberty Place Philadelphia, PA 19103-7396 (US)
Priority Data:
60/240,882 17.10.2000 US
Title (EN) METHOD FOR OPTIMIZING THE CHARACTERISTICS OF INTEGRATED CIRCUITS COMPONENTS FROM CIRCUIT SPEFICICATIONS
(FR) PROCEDE D"OPTIMISATION DES CARACTERISTIQUES DE COMPOSANTS DE CIRCUITS INTEGRES A PARTIR DE SPECIFICATIONS DE CIRCUIT
Abstract: front page image
(EN)A method for selecting a process for forming a device, includes generating a plurality of equations using a response surface methodology model. Each equation relates a respective device simulator input parameter to a respective combination of processing parameters (Fig.1, item 130) that can be used to form the device or a respective combination of device characteristics. A model of a figure-of-merit circuit is formed that is representative of an integrated circuit into which the device is to be incorporated (item 115). One of the combinations of processing parameters or combinations of device characteristics is identified (item 150) that results in a device satisfying a set of performance specifications for the figure-of-merit circuit, using the plurality of equations and the device simulator.
(FR)L"invention concerne une méthode de sélection d"un procédé de formation d"un dispositif, consistant à générer plusieurs équations en utilisant un modèle méthodologique à surface de réponse. Chaque équation rapporte un paramètre d"entrée de simulation du dispositif respectif à une combinaison respective de paramètres de traitement (Fig.1, 130) qui peut être utilisée afin de former le dispositif ou une combinaison respective des caractéristiques du dispositif. On forme un modèle de circuit de facteur de mérite qui est représentatif d"un circuit intégré dans lequel on doit incorporer le dispositif (115). On identifie une des combinaisons des paramètres de traitement ou des combinaisons de caractéristiques du dispositif (150) qui résulte dans un dispositif satisfaisant à un ensemble de spécifications de performance pour le circuit de facteur de mérite, en utilisant les équations et le simulateur de dispositif.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)