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1. (WO2002033467) 8-MIRRORED MICROLITHOGRAPHIC PROJECTOR LENS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2002/033467    International Application No.:    PCT/EP2001/012110
Publication Date: 25.04.2002 International Filing Date: 19.10.2001
Chapter 2 Demand Filed:    28.02.2002    
IPC:
G02B 17/06 (2006.01), G03F 7/20 (2006.01)
Applicants: CARL ZEISS [DE/DE]; 89518 Heidenheim (DE) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GR, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR only).
CARL-ZEISS-STIFTUNG TRADING AS CARL ZEISS [DE/DE]; 89518 Heidenheim (DE) (GB, IE, JP, KR only).
MANN, Hans-Jürgen [DE/DE]; (DE) (For US Only).
ULRICH, Wilhelm [DE/DE]; (DE) (For US Only).
SEITZ, Günther [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: MANN, Hans-Jürgen; (DE).
ULRICH, Wilhelm; (DE).
SEITZ, Günther; (DE)
Agent: WEITZEL & PARTNER; Friedenstrasse 10 89522 Heidenheim (DE)
Priority Data:
100 52 289.0 20.10.2000 DE
60/255,216 13.12.2000 US
Title (DE) 8-SPIEGEL-MIKROLITHOGRAPHIE-PROJEKTIONSOBJEKTIV
(EN) 8-MIRRORED MICROLITHOGRAPHIC PROJECTOR LENS
(FR) OBJECTIF DE PROJECTION PAR MICROLITHOGRAPHIE A 8 MIROIRS
Abstract: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft ein Mikrolithographie-Projektionsobjektiv für die EUV-Lithographie mit einer Wellenlänge im Bereich 10 - 30 nm mit einer Eintrittspupille und einer Austrittspupille zur Abbildung eines Objektfeldes in einer Objektebene in ein Bildfeld in einer Bildebene. Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass das Mikrolithographie-Projektionsobjektiv einen ersten, einen zweiten, einen dritten, einen vierten, einen fünften, einen sechsten, einen siebten und einen achten Spiegel (51-58) aufweist und der Strahlverlauf von der Objektebene (100) zur Bildebene (102) obskurationsfrei ist.
(EN)The invention relates to a microlithographic projector lens for EUV-lithography with a wavelength in the range 10 - 30 nm, an incident aperture diaphragm and an emergent aperture diaphragm for the transformation of an object field in an object plane into an image field in an image plane. The invention is characterised in that the microlithographic projector lens comprises a first, second, third, fourth, fifth, sixth, seventh and eighth mirror (51-58) and the beam path from the object plane (100) to the image plane (102) is free from obscuration.
(FR)L'invention concerne un objectif de projection par microlithographie pour la lithographie EUV avec une longueur d'onde comprise entre 10 et 30 nm. Cet objectif comprend une pupille d'entrée et une pupille de sortie pour la reproduction du champ d'un objet dans un plan d'objet, dans un champ d'image, dans un plan d'image. Cette invention est caractérisée en ce que ledit objectif de projection par microlithographie présente un premier, un deuxième, un troisième, un quatrième, un cinquième, un sixième, un septième et un huitième miroir (51-58) et le trajet des faisceaux du plan d'objet (100) au plan d'image (102) est sans obscurcissement.
Designated States: JP, KR, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)