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1. (WO2002033458) PROCESS FOR INTEGRATING DIELECTRIC OPTICAL COATINGS INTO MICROELECTROMECHANICAL DEVICES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2002/033458    International Application No.:    PCT/US2001/032512
Publication Date: 25.04.2002 International Filing Date: 17.10.2001
IPC:
B81B 3/00 (2006.01), G02B 26/00 (2006.01)
Applicants: AXSUN TECHNOLOGIES, INC. [US/US]; 1 Fortune Drive Billerica, MA 01821 (US) (For All Designated States Except US).
MILLER, Michael F. [US/US]; (US) (For US Only).
LE, Minh Van [US/US]; (US) (For US Only).
COOK, Christopher C. [US/US]; (US) (For US Only).
FLANDERS, Dale C. [US/US]; (US) (For US Only).
NAGLE, Steven F. [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: MILLER, Michael F.; (US).
LE, Minh Van; (US).
COOK, Christopher C.; (US).
FLANDERS, Dale C.; (US).
NAGLE, Steven F.; (US)
Agent: HOUSTON, J., Grant; Axsun Technologies, Inc. 1 Fortune Drive Billerica, MA 01821 (US)
Priority Data:
09/692,639 19.10.2000 US
09/907,856 18.07.2001 US
09/954,861 18.09.2001 US
Title (EN) PROCESS FOR INTEGRATING DIELECTRIC OPTICAL COATINGS INTO MICROELECTROMECHANICAL DEVICES
(FR) PROCEDE D'INTEGRATION DE REVETEMENTS OPTIQUES DIELECTRIQUES DANS DES APPAREILS MICROELECTROMECANIQUES
Abstract: front page image
(EN)A process for patterning dielectric layers of the type typically found in optical coatings in the context of MEMS manufacturing is disclosed. A dielectric coating is deposited over a device layer, which has or will be released, and patterned using a mask layer. In one example, the coating is etched using the mask layer as a protection layer. In another example, a lift-off process is shown. The primary advantage of photolithographic patterning of the dielectric layers in optical MEMS devices is that higher levels of consistency can be achieved in fabrication, such as size, location, and residual material stress.
(FR)L'invention concerne un procédé de conception de motifs de couches diélectriques du type généralement trouvé dans des revêtements optiques dans le contexte de la fabrication de systèmes microélectromécaniques (MEMS). On dépose un revêtement diélectrique sur une couche de dispositif qui a été ou sera diffusée et un motif au moyen d'une couche de masque. Selon un exemple, on grave le revêtement grâce à la couche de masque comme couche de protection. Selon un autre exemple, on montre un décollement. L'avantage principal du motif photolithographique des couches diélectriques des appareils MEMS optiques est que des niveaux supérieurs de consistance peuvent être obtenus lors de la fabrication, comme la taille, la localisation et la pression de matériaux résiduels. Des techniques compétitives comme le masque d'ombre produisent des caractéristiques de faible qualité et sont difficiles à aligner. De plus, la taille de caractéristique minimale pouvant être obtenue grâce à la technique de masque d'ombre est limitée à environ 100 $g(m)m, en fonction de la géométrie du système de revêtement et cela nécessite un contact rigide avec la surface de la tranche.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)