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1. (WO2002033385) BIOCHIP EXCITATION AND ANALYSIS STRUCTURE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2002/033385    International Application No.:    PCT/US2001/029413
Publication Date: 25.04.2002 International Filing Date: 20.09.2001
Chapter 2 Demand Filed:    21.12.2001    
IPC:
H01L 21/20 (2006.01), H01L 27/15 (2006.01)
Applicants: MOTOROLA, INC. [US/US]; 1303 East Algonquin Road, Schaumburg, IL 60196 (US)
Inventors: FOLEY, Barbara, M.; (US)
Agent: KOCH, William, E.; Motorola Labs, Motorola Inc., Intellectual Property Dept., 3102 North 56th Street, AZ11/56-238, Phoenix, Arizona 85018-6697 (US)
Priority Data:
09/692,568 19.10.2000 US
Title (EN) BIOCHIP EXCITATION AND ANALYSIS STRUCTURE
(FR) SYSTEME D'EXCITATION ET D'ANALYSE DE BIOPUCES
Abstract: front page image
(EN)A biological material analysis system (1000) suitable for analyzing material (1045) on a biochip (1010) is disclosed. The system includes light emitting (1060) and detecting devices (1070) formed using high quality epitaxial layers of compound semiconductor materials (1112) overlying an accommodating buffer layer (1160) on a silicon wafer (1150). The accommodating buffer layer is a layer of monocrystalline material spaced apart from the silicon wafer by an amorphous interface layer. The amorphous interface layer dissipates strain and permits the growth of a high quality monocrystalline accommodating buffer layer. Any lattice mismatch between the accommodating buffer layer and the underlying silicon substrate is taken care of by the amorphous interface layer.
(FR)L'invention concerne un système d'analyse de substances biologiques (1000) permettant d'analyser une substance (1045) disposée sur une biopuce (1010). Ce système comprend des dispositifs d'émission (1060) et de détection (1070) de lumière constitués de couches épitaxiales de qualité supérieure de matériaux semiconducteurs composés (1112), recouvrant la couche tampon de réception (1160) d'une plaquette (1150). La couche tampon de réception est une couche de matériau monocristallin séparée de la plaquette par une couche d'interface amorphe. La couche d'interface amorphe empêche la déformation et permet la croissance d'une couche tampon de réception monoscristalline de qualité supérieure. Tout défaut du réseau cristallin entre ladite couche tampon et la plaquette sous-jacente est pris en compte par la couche d'interface amorphe.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)