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1. (WO2002033143) VORTEX BASED CVD REACTOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2002/033143    International Application No.:    PCT/US2001/032577
Publication Date: 25.04.2002 International Filing Date: 15.10.2001
Chapter 2 Demand Filed:    26.12.2001    
IPC:
C23C 16/44 (2006.01), C23C 16/455 (2006.01), C30B 25/14 (2006.01)
Applicants: PRIMAXX, INC. [US/US]; 7377 William Avenue, Suite 800 Allentown, PA 18106 (US)
Inventors: GRANT, Robert, W.; (US).
PETRONE, Benjamin, J.; (US).
BRUBAKER, Matthew, D.; (US).
MUMBAUER, Paul, D.; (US)
Agent: JAEGER, Hugh, D.; Hugh D. Jaeger, P.A. Suite 302 1000 Superior Boulevard Wayzata, MN 55391-1873 (US)
Priority Data:
09/688,555 16.10.2000 US
Title (EN) VORTEX BASED CVD REACTOR
(FR) REACTEUR CVD A TOURBILLON
Abstract: front page image
(EN)Chemical vapor deposition reactor incorporating gas flow vortex formation for uniform chemical vapor deposition upon a stationary wafer substrate. Gas flow including chemical vapors is introduced in tangential fashion to the interior of the heated reactor to provide for suitable uniform boundary layer control within the reactor upon the stationary wafer substrate.
(FR)L'invention concerne un réacteur de dépôt chimique en phase vapeur permettant la formation d'un tourbillon gazeux en vue d'un dépôt chimique en phase vapeur uniforme sur un substrat de plaquette fixe. On introduit un écoulement gazeux comprenant des vapeurs chimiques de manière tangentielle à l'intérieur du réacteur chauffé, d'où une régulation appropriée de la couche limite uniforme à l'intérieur du réacteur sur le substrat de plaquette fixe.
Designated States: JP.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)