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1. (WO2002031889) PLANAR DIAC
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2002/031889    International Application No.:    PCT/FR2001/003179
Publication Date: 18.04.2002 International Filing Date: 12.10.2001
Chapter 2 Demand Filed:    07.05.2002    
IPC:
H01L 29/861 (2006.01)
Applicants: STMICROELECTRONICS S.A. [FR/FR]; 29, Boulevard Romain Rolland F-92120 Montrouge (FR) (For All Designated States Except US).
DUCREUX, Gérard [FR/FR]; (FR) (For US Only)
Inventors: DUCREUX, Gérard; (FR)
Agent: DE BEAUMONT, Michel; Cabinet Michel de Beaumont 1, Rue Champollion F-38000 Grenoble (FR)
Priority Data:
00/13180 13.10.2000 FR
Title (EN) PLANAR DIAC
(FR) DIAC PLANAR
Abstract: front page image
(EN)The invention concerns an asymmetric diac comprising a highly-doped substrate (21) of a first type of conductivity, a lightly-doped epitaxial layer (22) of the second type of conductivity on the upper surface of the substrate (21), a highly-doped region (24) of the first type of conductivity on the side of the upper surface of the epitaxial layer, a region (23) of the second type of conductivity more doped than the epitaxial layer beneath the region (24) of the first type of conductivity and not overlapping relative thereto, a channel retaining ring (25) of the second type of conductivity more doped than the epitaxial layer, outside the first region, and a wall (26) of the first type of conductivity outside said ring, joining the substrate.
(FR)L'invention concerne un diac asymétrique comprenant un substrat (21) d'un premier type de conductivité à fort niveau de dopage, une couche épitaxiée (22) faiblement dopée du deuxième type de conductivité sur la surface supérieure du substrat (21), une région (24) fortement dopée du premier type de conductivité du côté de la face supérieure de la couche epitaxiée, une région (23) du deuxième type de conductivité plus dopée que la couche épitaxiée sous la région (24) du premier type de conductivité et ne débordant pas par rapport à celle-ci, un anneau d'arrêt de canal (25) du deuxième type de conductivité plus dopé que la couche épitaxiée, à l'extérieur de la première region, et un mur (26) du premier type de conductivité à l'extérieure dudit anneau, rejoignant le substrat.
Designated States: CN, KR, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Publication Language: French (FR)
Filing Language: French (FR)