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1. (WO2002031887) TRANSISTOR AND DISPLAY COMPRISING IT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2002/031887    International Application No.:    PCT/JP2001/008867
Publication Date: 18.04.2002 International Filing Date: 09.10.2001
Chapter 2 Demand Filed:    26.10.2001    
IPC:
G02F 1/1368 (2006.01), H01L 29/417 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
Applicants: SANYO ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 5-5, Keihanhondori 2-chome Moriguchi-shi, Osaka 570-0083 (JP) (For All Designated States Except US).
TOTTORI SANYO ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 201, Minamiyoshikata 3-chome Tottori-shi, Tottori 680-8634 (JP) (For All Designated States Except US).
MORITA, Satoshi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KOBAYASHI, Osamu [JP/JP]; (JP) (For US Only).
ODA, Kohei [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: MORITA, Satoshi; (JP).
KOBAYASHI, Osamu; (JP).
ODA, Kohei; (JP)
Agent: SANO, Shizuo; Tenmabashi-Yachiyo Bldg. Bekkan 2-6, Tenmabashi-kyomachi, Chuo-ku Osaka-shi, Osaka 540-0032 (JP)
Priority Data:
2000-312454 12.10.2000 JP
Title (EN) TRANSISTOR AND DISPLAY COMPRISING IT
(FR) TRANSISTOR ET VISUEL COMPRENANT CE TRANSISTOR
Abstract: front page image
(EN)A transistor has a source electrode and a drain electrode which are strip-shaped located with a predetermined space on a semiconductor layer flatly superposed on a gate electrode. The source electrode has a recess for receiving the tip of the drain electrode. The semiconductor layer has a sticking-out part that sticks out of the gate electrode to superpose not on the gate electrode, but on the source electrode or the drain electrode. Thus, the sticking-out part superposed on the source electrode and that superposed on the drain electrode are shielded by the gate electrode and become independent of each other. A semiconductor island sticking out of the gate electrode turned conductive by the photoelectric conversion action due to light or the like non-intercepted by the gate electrode, so that the source and the drain are prevented from being short-circuited.
(FR)L'invention concerne une électrode de source et une électrode de drain en forme de bande, espacées selon un intervalle préétabli sur une couche de semiconducteur et superposées à plat sur une électrode de grille. L'électrode de source comporte une cavité recevant l'extrémité de l'électrode de drain. La couche de semiconducteur comporte une partie protubérante qui ressort de l'électrode de grille, pour se superposer non pas sur l'électrode de grille mais sur l'électrode de source ou l'électrode de drain. Cette partie superposée sur l'électrode de source et la partie superposée sur l'électrode de drain sont blindées par l'électrode de grille et deviennent indépendantes. Un îlot de semiconducteur protubérant ressort de l'électrode de grille avec état conducteur induit par la conversion photoélectrique due à la lumière ou autre action non interceptée par l'électrode de grille, moyennant quoi la source et le drain ne peuvent pas être mis en court circuit.
Designated States: CN, KR, SG, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)